Texas Instruments Operationsverstärker Oberfläche 1 MHz SOIC, biplor typ. 18 V, biplor typ. 36 V, 14-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 268-3589
- Herst. Teile-Nr.:
- TL064CD
- Marke:
- Texas Instruments
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|---|---|---|
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| 100 - 200 | CHF.0.546 | CHF.27.14 |
| 250 - 450 | CHF.0.525 | CHF.26.41 |
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- RS Best.-Nr.:
- 268-3589
- Herst. Teile-Nr.:
- TL064CD
- Marke:
- Texas Instruments
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Texas Instruments | |
| Produkt Typ | Operationsverstärker | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Anzahl der Kanäle | 4 | |
| Pinanzahl | 14 | |
| Verstärkung-Bandbreiten-Produkt GBP | 1MHz | |
| Minimale Versorgungsspannung | 36V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 18V | |
| Eingangsruhestrom | 400 pA | |
| Vos - Eingangs-Offsetspannung | 15 mV | |
| Betriebstemperatur min. | 0°C | |
| Slew Rate | 3.5V/μs | |
| Maximale Betriebstemperatur | 70°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Serie | TL06 | |
| Ausgangsstrom | 10mA | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Offset-Eingangsstrom | 200 pA | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Texas Instruments | ||
Produkt Typ Operationsverstärker | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Anzahl der Kanäle 4 | ||
Pinanzahl 14 | ||
Verstärkung-Bandbreiten-Produkt GBP 1MHz | ||
Minimale Versorgungsspannung 36V | ||
Maximale Versorgungsspannung 18V | ||
Eingangsruhestrom 400 pA | ||
Vos - Eingangs-Offsetspannung 15 mV | ||
Betriebstemperatur min. 0°C | ||
Slew Rate 3.5V/μs | ||
Maximale Betriebstemperatur 70°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Serie TL06 | ||
Ausgangsstrom 10mA | ||
Automobilstandard Nein | ||
Offset-Eingangsstrom 200 pA | ||
Die Operationsverstärker von Texas Instruments sind JFET-Eingangs-Operationsverstärker der Serie TL06x. Dieser Verstärker wurde als energiesparende Versionen der Verstärker der Serie TL08x entwickelt. Die Serie TL06x verfügt über die gleichen Anschlussklemmenzuordnungen wie die Serien TL07x und TL08x. Jeder dieser JFET-Eingangs-Operationsverstärker enthält gut abgestimmte Hochspannungs-JFET- und bipolare Transistoren in einem integrierten Schaltkreis.
Sehr niedriger Energieverbrauch
Großer Gleichtakt- und Differenzspannungsbereich
Niedrige Eingangsbias- und Versatzströme
Gleichtakt-Eingangsspannungsbereich
Kurzschlussschutz am Ausgang
Verriegelungsfreier Betrieb
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