STMicroelectronics Operationsverstärker Oberfläche 1.4 MHz SOIC, biplor typ. 6 V, biplor typ. 3 V, 8-Pin AEC-Q100
- RS Best.-Nr.:
- 624-7980P
- Herst. Teile-Nr.:
- TSV358IDT
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | Operationsverstärker | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Anzahl der Kanäle | 2 | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Verstärkung-Bandbreiten-Produkt GBP | 1.4MHz | |
| Maximale Versorgungsspannung | 6V | |
| Minimale Versorgungsspannung | 3V | |
| Eingangsruhestrom | 150 nA | |
| Slew Rate | 0.6V/μs | |
| Vos - Eingangs-Offsetspannung | 3 mV | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Höhe | 1.25mm | |
| Serie | TSV358 | |
| Breite | 3.9 mm | |
| Länge | 4.9mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 | |
| Ausgangsstrom | 80mA | |
| Offset-Eingangsstrom | 60 nA | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ Operationsverstärker | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Anzahl der Kanäle 2 | ||
Pinanzahl 8 | ||
Verstärkung-Bandbreiten-Produkt GBP 1.4MHz | ||
Maximale Versorgungsspannung 6V | ||
Minimale Versorgungsspannung 3V | ||
Eingangsruhestrom 150 nA | ||
Slew Rate 0.6V/μs | ||
Vos - Eingangs-Offsetspannung 3 mV | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Höhe 1.25mm | ||
Serie TSV358 | ||
Breite 3.9 mm | ||
Länge 4.9mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q100 | ||
Ausgangsstrom 80mA | ||
Offset-Eingangsstrom 60 nA | ||
TSV321, TSV324, TSV358, Universal-Niederspannungs-Operationsverstärker mit erweiterten Eingangs- und Ausgangsspannungsbereich
Niederspannungsversionen von LM358 und LM324
Netzteilfunktion von 2,5 V bis 6 V
Erweiterter Eingangs- und Ausgangsspannungsbereich
Kann einen 32-Ω-Lastwiderstand betreiben
Typischer Ausgangsstrom von 80 mA