onsemi Operationsverstärker Oberfläche 2 MHz SOIC, biplor typ. 40V, biplor typ. 30 V, 16-Pin AEC-Q100
- RS Best.-Nr.:
- 787-8557
- Herst. Teile-Nr.:
- NE5517DR2G
- Marke:
- onsemi
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- Herst. Teile-Nr.:
- NE5517DR2G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | Operationsverstärker | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Anzahl der Kanäle | 2 | |
| Pinanzahl | 16 | |
| Verstärkung-Bandbreiten-Produkt GBP | 2MHz | |
| Minimale Versorgungsspannung | 30V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 40V | |
| Vos - Eingangs-Offsetspannung | 5 mV | |
| Slew Rate | 50V/μs | |
| Eingangsruhestrom | 500 nA | |
| Betriebstemperatur min. | 0°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 70°C | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Breite | 4mm | |
| Länge | 10mm | |
| Serie | NE5517 | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Ausgangsstrom | 20mA | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 | |
| Offset-Eingangsstrom | 50 nA | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ Operationsverstärker | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Anzahl der Kanäle 2 | ||
Pinanzahl 16 | ||
Verstärkung-Bandbreiten-Produkt GBP 2MHz | ||
Minimale Versorgungsspannung 30V | ||
Maximale Versorgungsspannung 40V | ||
Vos - Eingangs-Offsetspannung 5 mV | ||
Slew Rate 50V/μs | ||
Eingangsruhestrom 500 nA | ||
Betriebstemperatur min. 0°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 70°C | ||
Höhe 1.5mm | ||
Breite 4mm | ||
Länge 10mm | ||
Serie NE5517 | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Ausgangsstrom 20mA | ||
Automobilstandard AEC-Q100 | ||
Offset-Eingangsstrom 50 nA | ||
NE5517, Zweifach-Transkonduktanzverstärker, ON Semiconductor
Puffer mit konstanter Impedanz
Ausgezeichnete Übereinstimmung zwischen Verstärkern
Linearisierung von Dioden
Rauschabstand mit hoher Ausgangsleistung
Operationsverstärker, ON Semiconductor
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