STMicroelectronics Operationsverstärker Oberfläche 4 MHz SOIC, biplor typ. 36V, biplor typ. 6 V, 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 877-2738P
- Herst. Teile-Nr.:
- LF353DT
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück |
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- 877-2738P
- Herst. Teile-Nr.:
- LF353DT
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | Operationsverstärker | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Anzahl der Kanäle | 2 | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Verstärkung-Bandbreiten-Produkt GBP | 4MHz | |
| Minimale Versorgungsspannung | 6V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 36V | |
| Eingangsruhestrom | 20 nA | |
| Slew Rate | 16V/μs | |
| Vos - Eingangs-Offsetspannung | 13 mV | |
| Betriebstemperatur min. | 0°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 70°C | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Serie | LF353 | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 5mm | |
| Ausgangsstrom | 60mA | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Offset-Eingangsstrom | 4 nA | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ Operationsverstärker | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Anzahl der Kanäle 2 | ||
Pinanzahl 8 | ||
Verstärkung-Bandbreiten-Produkt GBP 4MHz | ||
Minimale Versorgungsspannung 6V | ||
Maximale Versorgungsspannung 36V | ||
Eingangsruhestrom 20 nA | ||
Slew Rate 16V/μs | ||
Vos - Eingangs-Offsetspannung 13 mV | ||
Betriebstemperatur min. 0°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 70°C | ||
Höhe 1.5mm | ||
Serie LF353 | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 5mm | ||
Ausgangsstrom 60mA | ||
Automobilstandard Nein | ||
Offset-Eingangsstrom 4 nA | ||
- Ursprungsland:
- MA
LF347, LF351, LF353, JFET-Eingänge, Operationsverstärker mit geringen Eingangsruhe- und Offsetströmen.
Die LF347, LF351 und LF353 sind Hochgeschwindigkeits-Operationsverstärker mit JFET-Eingang, die über angepasste Hochspannungs-JFET- und bipolare Transistoren verfügen. Sie verfügen über hohe Anstiegsgeschwindigkeiten, geringe Eingangsruhe- und Offsetströme und einen niedrigen Offsetspannungs-Temperaturkoeffizienten.