Texas Instruments Operationsverstärker Oberfläche 1.2 MHz QFN, biplor typ. 5.5V, biplor typ. 3 V, 12-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 923-4029
- Herst. Teile-Nr.:
- OPA567AIRHGT
- Marke:
- Texas Instruments
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- RS Best.-Nr.:
- 923-4029
- Herst. Teile-Nr.:
- OPA567AIRHGT
- Marke:
- Texas Instruments
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Texas Instruments | |
| Produkt Typ | Operationsverstärker | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | QFN | |
| Anzahl der Kanäle | 1 | |
| Pinanzahl | 12 | |
| Verstärkung-Bandbreiten-Produkt GBP | 1.2MHz | |
| Minimale Versorgungsspannung | 3V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 5.5V | |
| Vos - Eingangs-Offsetspannung | ±2 mV | |
| Slew Rate | 1.2V/μs | |
| Eingangsruhestrom | ±10 pA | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Länge | 5mm | |
| Höhe | 0.9mm | |
| Serie | OPA567 | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Ausgangsstrom | 2A | |
| Offset-Eingangsstrom | ±10 pA | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Texas Instruments | ||
Produkt Typ Operationsverstärker | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße QFN | ||
Anzahl der Kanäle 1 | ||
Pinanzahl 12 | ||
Verstärkung-Bandbreiten-Produkt GBP 1.2MHz | ||
Minimale Versorgungsspannung 3V | ||
Maximale Versorgungsspannung 5.5V | ||
Vos - Eingangs-Offsetspannung ±2 mV | ||
Slew Rate 1.2V/μs | ||
Eingangsruhestrom ±10 pA | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Länge 5mm | ||
Höhe 0.9mm | ||
Serie OPA567 | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Ausgangsstrom 2A | ||
Offset-Eingangsstrom ±10 pA | ||
Hochspannungs- und Starkstrom-Operationsverstärker
Leistungs-Operationsverstärker von Texas Instruments mit Starkstromausgängen, geeignet für die Steuerung niedriger Impedanz und schwieriger Lasten. Viele dieser Geräte sind geeignet für den Betrieb bei höheren Versorgungsspannungen als Universal-Operationsverstärker. Typische Anwendungen umfassen die Steuerung von MOSFETs und Leistungstransistoren, Brückenverstärkern, Wechselstrommotoren, Servoverstärkern, Netzteilen und Einsätze in Messgerätesystemen.
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