onsemi FOD SMD Optokoppler / IGBT, MOSFET-Out, 6-Pin SOIC, Isolation 5 kV eff
- RS Best.-Nr.:
- 186-8280
- Herst. Teile-Nr.:
- FOD8342R2
- Marke:
- onsemi
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.7.245
Nur noch Restbestände
- Letzte 805 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.1.449 | CHF.7.25 |
| 50 - 95 | CHF.1.25 | CHF.6.25 |
| 100 + | CHF.1.082 | CHF.5.42 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 186-8280
- Herst. Teile-Nr.:
- FOD8342R2
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Montage Typ | SMD | |
| Ausgangsschaltung | IGBT, MOSFET | |
| Durchlassspannung max. | 1.8V | |
| Anzahl der Kanäle | 1 | |
| Anzahl der Pins | 6 | |
| Gehäusetyp | SOIC | |
| Regelanstiegszeit | 38ns | |
| Eingangsstrom max. | 10 mA | |
| Isolationsspannung | 5 kV eff | |
| Logik Ausgang | Ja | |
| Fallzeit typ. | 24ns | |
| Serie | FOD | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Montage Typ SMD | ||
Ausgangsschaltung IGBT, MOSFET | ||
Durchlassspannung max. 1.8V | ||
Anzahl der Kanäle 1 | ||
Anzahl der Pins 6 | ||
Gehäusetyp SOIC | ||
Regelanstiegszeit 38ns | ||
Eingangsstrom max. 10 mA | ||
Isolationsspannung 5 kV eff | ||
Logik Ausgang Ja | ||
Fallzeit typ. 24ns | ||
Serie FOD | ||
FOD8342T - 8 mm Kriech- und Sicherheitsabstand und 0,4 mm Isolationsabstand zur Erreichung einer zuverlässigen Hochspannungsisolierung
3.0 A Peak Output Current Driving Capability für Medium-Power IGBT/MOSFET - Verwendung von P-Kanal MOSFETs an der Ausgangsstufe ermöglicht ein Schwenken der Ausgangsspannung nahe an der Versorgungsschiene
20 kV/μs minimale Gleichtaktunterdrückung
Großer Versorgungsspannungsbereich: 10 V bis 30 V.
Schnelle Schaltgeschwindigkeit über vollen Betriebstemperaturbereich - 210 ns Maximale Ausbreitungsverzögerung - 65 ns Maximale Pulsweitenverzerrung Unterspannungs-Sperre (UVLO) mit Hysterese
Erweiterter Betriebstemperaturbereich: -40 °C bis 100 °C.
Anwendungen
Wechsel- und bürstenlose Gleichstrom-Motorantriebe
Industrieller Wechselrichter
Unterbrechungsfreie Stromversorgung
Induktionsheizung
Isolierter IGBT/Power MOSFET Gate-Antrieb
3.0 A Peak Output Current Driving Capability für Medium-Power IGBT/MOSFET - Verwendung von P-Kanal MOSFETs an der Ausgangsstufe ermöglicht ein Schwenken der Ausgangsspannung nahe an der Versorgungsschiene
20 kV/μs minimale Gleichtaktunterdrückung
Großer Versorgungsspannungsbereich: 10 V bis 30 V.
Schnelle Schaltgeschwindigkeit über vollen Betriebstemperaturbereich - 210 ns Maximale Ausbreitungsverzögerung - 65 ns Maximale Pulsweitenverzerrung Unterspannungs-Sperre (UVLO) mit Hysterese
Erweiterter Betriebstemperaturbereich: -40 °C bis 100 °C.
Anwendungen
Wechsel- und bürstenlose Gleichstrom-Motorantriebe
Industrieller Wechselrichter
Unterbrechungsfreie Stromversorgung
Induktionsheizung
Isolierter IGBT/Power MOSFET Gate-Antrieb
Verwandte Links
- onsemi FOD SMD Optokoppler / IGBT, MOSFET-Out, 6-Pin SOIC, Isolation 5 kV eff
- onsemi FOD THT Optokoppler / IGBT, MOSFET-Out, 8-Pin PDIP, Isolation 5 kV eff
- onsemi FOD THT Optokoppler 1.8V / IGBT, MOSFET-Out, 8-Pin PDIP, Isolation 5 kV eff
- onsemi FOD SMD Optokoppler DC-In / Logikgatter-Out, 8-Pin SOIC, Isolation 3,75 kV eff
- onsemi FOD THT Optokoppler, 8-Pin PDIP, Isolation 5 kV eff
- onsemi FOD SMD Optokoppler / MOSFET-Out, 5-Pin SOP, Isolation 5 kV eff
- onsemi FOD SMD Optokoppler / MOSFET-Out, 8-Pin MDIP, Isolation 5 kV eff
- onsemi FOD SMD Optokoppler / Phototransistor-Out, 4-Pin SMT, Isolation 5 kV eff