Renesas Electronics PS 1 Optokoppler DC-In, 4-Pin Mini-Flat, Isolation 2500 V eff.
- RS Best.-Nr.:
- 234-7099
- Herst. Teile-Nr.:
- PS2913-1-V-F3-AX
- Marke:
- Renesas Electronics
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF 1.757 | CHF 8.80 |
| 50 - 95 | CHF 1.172 | CHF 5.88 |
| 100 - 245 | CHF 0.899 | CHF 4.51 |
| 250 - 995 | CHF 0.859 | CHF 4.31 |
| 1000 + | CHF 0.788 | CHF 3.92 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 234-7099
- Herst. Teile-Nr.:
- PS2913-1-V-F3-AX
- Marke:
- Renesas Electronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Renesas Electronics | |
| Produkt Typ | Optokoppler | |
| Ausgangstyp | Fototransistor | |
| Durchlassspannung max. | 1.3V | |
| Verpackungsart | 500 Stück/Rolle | |
| Anzahl der Kanäle | 1 | |
| Anzahl der Pins | 4 | |
| Gehäusegröße | Mini-Flat | |
| Eingangsstrom Typ | DC | |
| Regelanstiegszeit | 10μs | |
| Eingangsstrom max. | 50mA | |
| Isolationsspannung | 2500V eff. | |
| Betriebstemperatur min. | 55°C | |
| Strom-Übertragungsverhältnis max. | 200% | |
| Maximale Betriebstemperatur | 100°C | |
| Strom-Übertragungsverhältnis min. | 50% | |
| Normen/Zulassungen | BS EN 62368-1, DIN EN 60747-5-5, UL1577 | |
| Fallzeit typ. | 10μs | |
| Serie | PS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Renesas Electronics | ||
Produkt Typ Optokoppler | ||
Ausgangstyp Fototransistor | ||
Durchlassspannung max. 1.3V | ||
Verpackungsart 500 Stück/Rolle | ||
Anzahl der Kanäle 1 | ||
Anzahl der Pins 4 | ||
Gehäusegröße Mini-Flat | ||
Eingangsstrom Typ DC | ||
Regelanstiegszeit 10μs | ||
Eingangsstrom max. 50mA | ||
Isolationsspannung 2500V eff. | ||
Betriebstemperatur min. 55°C | ||
Strom-Übertragungsverhältnis max. 200% | ||
Maximale Betriebstemperatur 100°C | ||
Strom-Übertragungsverhältnis min. 50% | ||
Normen/Zulassungen BS EN 62368-1, DIN EN 60747-5-5, UL1577 | ||
Fallzeit typ. 10μs | ||
Serie PS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der optisch gekoppelte Isolator von Renesas Electronics enthält eine GaAs-Lichtdiode und einen NPN-Silizium-Fototransistor in einem Gehäuse für Montageanwendungen mit hoher Dichte. Ein extrem kleines flaches Kabelgehäuse wurde geliefert, das eine Verringerung der Montagefläche von ca. 30 % ermöglicht.
Hohe Kollektor-Emitter-Spannung
Hohe Isolationsspannung
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