Nexperia Silizium-Verbindung Einfach 215 mA 100 V Oberfläche SOD-523 2-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 508-282
- Herst. Teile-Nr.:
- BAS516,115
- Marke:
- Nexperia
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Vorübergehend ausverkauft
- RS Best.-Nr.:
- 508-282
- Herst. Teile-Nr.:
- BAS516,115
- Marke:
- Nexperia
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Diodenkonfiguration | Einfach | |
| Produkt Typ | Silizium-Verbindung | |
| Maximaler Durchlassstrom If | 215mA | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Subtyp | Siliziumverbindung | |
| Gehäusegröße | SOD-523 | |
| Pinanzahl | 2 | |
| Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm | 100V | |
| Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm | 4A | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 500mW | |
| Spitzensperrverzögerungszeit trr | 4ns | |
| Betriebstemperatur min. | -65°C | |
| Maximale Durchlassspannung Vf | 1.25V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Serie | BAS516 | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 1.25mm | |
| Höhe | 0.65mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Diodenkonfiguration Einfach | ||
Produkt Typ Silizium-Verbindung | ||
Maximaler Durchlassstrom If 215mA | ||
Montageart Oberfläche | ||
Subtyp Siliziumverbindung | ||
Gehäusegröße SOD-523 | ||
Pinanzahl 2 | ||
Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm 100V | ||
Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm 4A | ||
Maximale Verlustleistung Pd 500mW | ||
Spitzensperrverzögerungszeit trr 4ns | ||
Betriebstemperatur min. -65°C | ||
Maximale Durchlassspannung Vf 1.25V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Serie BAS516 | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 1.25mm | ||
Höhe 0.65mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Schnelles Schalten. Mittels Planartechnologie hergestellte Hochgeschwindigkeitsschaltdioden mit einer maximalen Schaltgeschwindigkeit von 4 ns. Unterstützt kundenspezifische Schaltungskonstruktionen mit hoher Dichte, die in hermetisch verschlossenen Gehäusen vergossen sind.
Hochgeschwindigkeitsschaltdioden, vergossen in kleinen SMD-Kunststoffgehäusen.
Hohe Schaltgeschwindigkeit: trr ≤ 4 nsNiedrige KapazitätNiedriger LeckstromSperrspannung: VR ≤ 100 VSich wiederholende maximale Sperrspannung: VRRM ≤ 100 VKleine SMD-KunststoffgehäuseZielanwendungsbereicheHochgeschwindigkeitsschaltenUniverselles Schalten
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