Infineon Silizium-Verbindung Einfach 80 A 650 V Durchsteckmontage TO-220 2-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 145-8760
- Herst. Teile-Nr.:
- IDP40E65D2XKSA1
- Marke:
- Infineon
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- IDP40E65D2XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler Durchlassstrom If | 80A | |
| Produkt Typ | Silizium-Verbindung | |
| Diodenkonfiguration | Einfach | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Subtyp | Siliziumverbindung | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Pinanzahl | 2 | |
| Spitzensperrverzögerungszeit trr | 83ns | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 200W | |
| Maximale Durchlassspannung Vf | 2.2V | |
| Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm | 650V | |
| Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm | 250A | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 15.95mm | |
| Länge | 10.2mm | |
| Breite | 4.5mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler Durchlassstrom If 80A | ||
Produkt Typ Silizium-Verbindung | ||
Diodenkonfiguration Einfach | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Subtyp Siliziumverbindung | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Pinanzahl 2 | ||
Spitzensperrverzögerungszeit trr 83ns | ||
Maximale Verlustleistung Pd 200W | ||
Maximale Durchlassspannung Vf 2.2V | ||
Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm 650V | ||
Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm 250A | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 15.95mm | ||
Länge 10.2mm | ||
Breite 4.5mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Schnell schaltende, impulsgebergesteuerte Dioden, Infineon
Die impulsgebergesteuerten Infineon Schaltdioden sind die Familien Rapid 1 und Rapid 2 sowie die 600 V/1200 V Ultrasoft-Dioden. Die Dioden Arbeiten in verschiedenen Anwendungen wie Telekommunikation, USV, Schweißen, AC/DC und die Ultrasoft-Version arbeitet in Motorantriebsanwendungen bis zu 30 kHz.
Rapid 1-Diode schaltet zwischen 18 kHz und 40 kHz
1,35 V temperaturstabile Durchlassspannung
Ideal für PFC-Topologien (Leistungsfaktorkorrektur)
Die Rapid 2-Diode schaltet zwischen 40 kHz und 100 kHz
Geringe Umkehr-Erholungsladungen: Durchlassspannungsverhältnis für BiC-Leistung
Geringe Umkehr-Erholzeit
Geringe Einschaltverluste auf dem Starthilfeschalter
Extrem schnelle Diode 600 V/1200 V impulsgebergesteuerte Technologie
Zugelassen gemäß JEDEC-Standard
Gute Abschirmung gegenüber elektromagnetischen Störungen
Geringe Leitungsverluste
Einfache Parallelschaltung
Dioden und Gleichrichter, Infineon
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