Vishay Silizium-Verbindung Einfach 1 A 400 V Oberfläche DO-213AB 2-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 165-7126
- Herst. Teile-Nr.:
- EGL41G-E3/96
- Marke:
- Vishay
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- EGL41G-E3/96
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Silizium-Verbindung | |
| Diodenkonfiguration | Einfach | |
| Maximaler Durchlassstrom If | 1A | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Steckschlüssel Zubehör | Siliziumverbindung | |
| Gehäusegröße | DO-213AB | |
| Pinanzahl | 2 | |
| Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm | 400V | |
| Betriebstemperatur min. | -65°C | |
| Spitzensperrverzögerungszeit trr | 50ns | |
| Maximale Durchlassspannung Vf | 1.25V | |
| Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm | 30A | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Durchmesser | 2.67 mm | |
| Höhe | 2.67mm | |
| Breite | 2.67 mm | |
| Länge | 5.2mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Silizium-Verbindung | ||
Diodenkonfiguration Einfach | ||
Maximaler Durchlassstrom If 1A | ||
Montageart Oberfläche | ||
Steckschlüssel Zubehör Siliziumverbindung | ||
Gehäusegröße DO-213AB | ||
Pinanzahl 2 | ||
Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm 400V | ||
Betriebstemperatur min. -65°C | ||
Spitzensperrverzögerungszeit trr 50ns | ||
Maximale Durchlassspannung Vf 1.25V | ||
Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm 30A | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Durchmesser 2.67 mm | ||
Höhe 2.67mm | ||
Breite 2.67 mm | ||
Länge 5.2mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Gleichrichter, ultraschnelle Erholzeit, 1 A, Vishay Semiconductor
Vishay-Gleichrichter mit ultraschneller Erholzeit haben sehr schnelle umgekehrte Wiederherstellungszeiten von geringen 15 ns und Spannungen bis zu 1500 V. Zu den typischen Anwendungen gehören Schaltnetzteile mit sehr hoher Frequenz (SMPS), Wechselrichter und Freilaufdioden.
Dioden und Gleichrichter, Vishay Semiconductor
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