Vishay Silizium-Verbindung Einfach 1 A 400 V Oberfläche DO-213AB 2-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 165-7126
- Herst. Teile-Nr.:
- EGL41G-E3/96
- Marke:
- Vishay
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- 165-7126
- Herst. Teile-Nr.:
- EGL41G-E3/96
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Maximaler Durchlassstrom If | 1A | |
| Produkt Typ | Silizium-Verbindung | |
| Diodenkonfiguration | Einfach | |
| Subtyp | Siliziumverbindung | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | DO-213AB | |
| Pinanzahl | 2 | |
| Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm | 30A | |
| Spitzensperrverzögerungszeit trr | 50ns | |
| Betriebstemperatur min. | -65°C | |
| Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm | 400V | |
| Maximale Durchlassspannung Vf | 1.25V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 5.2mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 2.67mm | |
| Durchmesser | 2.67mm | |
| Höhe | 2.67mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Maximaler Durchlassstrom If 1A | ||
Produkt Typ Silizium-Verbindung | ||
Diodenkonfiguration Einfach | ||
Subtyp Siliziumverbindung | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße DO-213AB | ||
Pinanzahl 2 | ||
Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm 30A | ||
Spitzensperrverzögerungszeit trr 50ns | ||
Betriebstemperatur min. -65°C | ||
Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm 400V | ||
Maximale Durchlassspannung Vf 1.25V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 5.2mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 2.67mm | ||
Durchmesser 2.67mm | ||
Höhe 2.67mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Gleichrichter, ultraschnelle Erholzeit, 1 A, Vishay Semiconductor
Vishay-Gleichrichter mit ultraschneller Erholzeit haben sehr schnelle umgekehrte Wiederherstellungszeiten von geringen 15 ns und Spannungen bis zu 1500 V. Zu den typischen Anwendungen gehören Schaltnetzteile mit sehr hoher Frequenz (SMPS), Wechselrichter und Freilaufdioden.
Dioden und Gleichrichter, Vishay Semiconductor
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