Vishay Silizium-Verbindung Einfach 3 A 600 V Durchsteckmontage DO-201AD 2-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 177-7516
- Herst. Teile-Nr.:
- GI506-E3/54
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 1400 - 1400 | CHF 0.333 | CHF 465.21 |
| 2800 - 5600 | CHF 0.313 | CHF 441.17 |
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- RS Best.-Nr.:
- 177-7516
- Herst. Teile-Nr.:
- GI506-E3/54
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Silizium-Verbindung | |
| Maximaler Durchlassstrom If | 3A | |
| Diodenkonfiguration | Einfach | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Subtyp | Siliziumverbindung | |
| Gehäusegröße | DO-201AD | |
| Pinanzahl | 2 | |
| Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm | 600V | |
| Spitzensperrverzögerungszeit trr | 2μs | |
| Betriebstemperatur min. | -50°C | |
| Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm | 100A | |
| Maximale Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 5.3mm | |
| Höhe | 5.3mm | |
| Länge | 9.5mm | |
| Durchmesser | 5.3mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Silizium-Verbindung | ||
Maximaler Durchlassstrom If 3A | ||
Diodenkonfiguration Einfach | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Subtyp Siliziumverbindung | ||
Gehäusegröße DO-201AD | ||
Pinanzahl 2 | ||
Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm 600V | ||
Spitzensperrverzögerungszeit trr 2μs | ||
Betriebstemperatur min. -50°C | ||
Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm 100A | ||
Maximale Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 5.3mm | ||
Höhe 5.3mm | ||
Länge 9.5mm | ||
Durchmesser 5.3mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Gleichrichter Standard Recovery, 2 A bis 10 A
Vielseitige und hocheffiziente Leistungsdioden mit Standard-Erholzeit in Industriestandard-Gehäusen.
Dioden und Gleichrichter, Vishay Semiconductor
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