Nexperia Silizium-Verbindung Gemeinsame Kathode 175 mA 100 V Oberfläche SC-70 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 178-7141
- Herst. Teile-Nr.:
- BAV70W,115
- Marke:
- Nexperia
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 + | CHF.0.021 | CHF.50.40 |
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- RS Best.-Nr.:
- 178-7141
- Herst. Teile-Nr.:
- BAV70W,115
- Marke:
- Nexperia
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Maximaler Durchlassstrom If | 175mA | |
| Diodenkonfiguration | Gemeinsame Kathode | |
| Produkt Typ | Silizium-Verbindung | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Steckschlüssel Zubehör | Siliziumverbindung | |
| Gehäusegröße | SC-70 | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm | 4A | |
| Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm | 100V | |
| Betriebstemperatur min. | -65°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 200mW | |
| Maximale Durchlassspannung Vf | 1.25V | |
| Spitzensperrverzögerungszeit trr | 4ns | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1mm | |
| Serie | BAV70 | |
| Breite | 1.35 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 2.2mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Maximaler Durchlassstrom If 175mA | ||
Diodenkonfiguration Gemeinsame Kathode | ||
Produkt Typ Silizium-Verbindung | ||
Montageart Oberfläche | ||
Steckschlüssel Zubehör Siliziumverbindung | ||
Gehäusegröße SC-70 | ||
Pinanzahl 3 | ||
Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm 4A | ||
Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm 100V | ||
Betriebstemperatur min. -65°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 200mW | ||
Maximale Durchlassspannung Vf 1.25V | ||
Spitzensperrverzögerungszeit trr 4ns | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1mm | ||
Serie BAV70 | ||
Breite 1.35 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 2.2mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Nexperia BAV70W ist eine Hochgeschwindigkeits-Schaltdiode, die in kleinen SMD-Kunststoffgehäusen gekapselt ist
Hohe Schaltgeschwindigkeit: trr ≤ 4 ns
Niedrige Kapazität: Cd ≤ 1,5 pF
Niedriger Leckstrom
Sperrspannung: VR ≤ 100 V
Sehr kleines SMD-Kunststoffgehäuse
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