Vishay Silizium-Diode Kleinsignaldiode 350 mA 75 V Oberfläche SOD-323 2-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 180-8177
- Herst. Teile-Nr.:
- 1N4148WS-G3-08
- Marke:
- Vishay
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|---|---|---|
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- RS Best.-Nr.:
- 180-8177
- Herst. Teile-Nr.:
- 1N4148WS-G3-08
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Maximaler Durchlassstrom If | 350mA | |
| Produkt Typ | Silizium-Diode | |
| Diodenkonfiguration | Kleinsignaldiode | |
| Subtyp | Siliziumdiode | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | SOD-323 | |
| Pinanzahl | 2 | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 200mW | |
| Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm | 75V | |
| Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm | 350mA | |
| Spitzensperrverzögerungszeit trr | 4ns | |
| Maximale Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 2.85mm | |
| Höhe | 1.15mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Maximaler Durchlassstrom If 350mA | ||
Produkt Typ Silizium-Diode | ||
Diodenkonfiguration Kleinsignaldiode | ||
Subtyp Siliziumdiode | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße SOD-323 | ||
Pinanzahl 2 | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 200mW | ||
Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm 75V | ||
Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm 350mA | ||
Spitzensperrverzögerungszeit trr 4ns | ||
Maximale Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 2.85mm | ||
Höhe 1.15mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Vishay Schaltdiode
Die Vishay Schaltdiode hat eine elektrische Nennleistung von 100 V Rückspannung und 100 μA Rückstrom. Eine Schaltdiode ist eine zweipolige PN-Abzweigvorrichtung, die zum Schalten von Signalen oder als Gleichrichter bei niedrigen Spannungen verwendet werden kann. Er hat einen Durchlassstrom von 100 mA und eine Durchlassspannung von 1,2 V.
Eigenschaften und Vorteile
• Es handelt sich um ein epitaxiales Kleinsignal-Schnellschaltgerät aus Silizium
• Markierungstyp ist AH
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.
• Die Verlustleistung beträgt 200 mW
• Die Wiederherstellungszeit beträgt 4 ns
• SMD-Gerät
Anwendungen
• Schnelle Schaltgeräte
• Mikrocontroller
• Leistungsgesteuerte Geräte
Zertifizierungen
• AEC-Q101
• E3-zertifiziert
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