Vishay Silizium-Diode Kleinsignaldiode 300 mA 75 V Durchsteckmontage DO-35 2-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 180-8181
- Herst. Teile-Nr.:
- 1N4448TR
- Marke:
- Vishay
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- 180-8181
- Herst. Teile-Nr.:
- 1N4448TR
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Diodenkonfiguration | Kleinsignaldiode | |
| Maximaler Durchlassstrom If | 300mA | |
| Produkt Typ | Silizium-Diode | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Subtyp | Siliziumdiode | |
| Gehäusegröße | DO-35 | |
| Pinanzahl | 2 | |
| Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm | 75V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 500mW | |
| Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm | 2A | |
| Spitzensperrverzögerungszeit trr | 4ns | |
| Maximale Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 3.9mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.7mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Diodenkonfiguration Kleinsignaldiode | ||
Maximaler Durchlassstrom If 300mA | ||
Produkt Typ Silizium-Diode | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Subtyp Siliziumdiode | ||
Gehäusegröße DO-35 | ||
Pinanzahl 2 | ||
Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm 75V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 500mW | ||
Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm 2A | ||
Spitzensperrverzögerungszeit trr 4ns | ||
Maximale Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 3.9mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.7mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Vishay Schaltdiode
Die Vishay Schaltdiode hat eine elektrische Nennleistung von 100 V Rückspannung und 5 μA Rückstrom. Eine Schaltdiode ist eine zweipolige PN-Abzweigvorrichtung, die zum Schalten von Signalen oder als Gleichrichter bei niedrigen Spannungen verwendet werden kann. Er hat einen Durchlassstrom von 100 mA und eine Durchlassspannung von 1 V.
Eigenschaften und Vorteile
• Es handelt sich um ein epitaxiales Kleinsignal-Schnellschaltgerät aus Silizium
• Markierungstyp ist V4448
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -65 °C und 175 °C.
• Die Verlustleistung beträgt 500 mW
• Die Wiederherstellungszeit beträgt 4 ns
• Ausführung mit Durchgangsbohrungsmontage
Anwendungen
• Schnelle Schaltgeräte
• Mikrocontroller
Zertifizierungen
• AEC-Q101
• E2-zertifiziert
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