Vishay Silizium-Diode Einfach 300 mA 75 V Oberfläche SOT-23 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 180-8607
- Herst. Teile-Nr.:
- BAS16-HE3-08
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 100 Stück)*
CHF.7.40
Wird eingestellt
- Zusätzlich 400 Einheit(en) mit Versand ab 02. März 2026
- Die letzten 4'200 Einheit(en) mit Versand ab 09. März 2026
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 100 - 900 | CHF.0.074 | CHF.7.46 |
| 1000 - 2400 | CHF.0.042 | CHF.4.52 |
| 2500 - 4900 | CHF.0.042 | CHF.3.68 |
| 5000 - 9900 | CHF.0.032 | CHF.3.36 |
| 10000 + | CHF.0.032 | CHF.2.94 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 180-8607
- Herst. Teile-Nr.:
- BAS16-HE3-08
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Diodenkonfiguration | Einfach | |
| Produkt Typ | Silizium-Diode | |
| Maximaler Durchlassstrom If | 300mA | |
| Steckschlüssel Zubehör | Siliziumdiode | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm | 75V | |
| Betriebstemperatur min. | -65°C | |
| Maximale Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Spitzensperrverzögerungszeit trr | 6ns | |
| Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm | 1A | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 500mW | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 3.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 2.6 mm | |
| Höhe | 1.15mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Diodenkonfiguration Einfach | ||
Produkt Typ Silizium-Diode | ||
Maximaler Durchlassstrom If 300mA | ||
Steckschlüssel Zubehör Siliziumdiode | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Pinanzahl 3 | ||
Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm 75V | ||
Betriebstemperatur min. -65°C | ||
Maximale Durchlassspannung Vf 1V | ||
Spitzensperrverzögerungszeit trr 6ns | ||
Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm 1A | ||
Maximale Verlustleistung Pd 500mW | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 3.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 2.6 mm | ||
Höhe 1.15mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Die Vishay Kleinsignal-Schnellschaltdiode verfügt über 3 Stifte und Silikondiodentechnologie mit 300 mA maximalem Durchlassstrom.
Epitaxiale planare Siliziumdiode
Extrem schnelle Schaltgeschwindigkeit
SMD-Gehäuse, ideal geeignet für automatisches Einsetzen
Hohe Leitfähigkeit
AEC-Q101-qualifiziert
Sockel P/N-E3 - RoHS-konform, kommerzielle Ausführung
Sockel P/N-HE3 - RoHS-konform, AEC-Q101-zertifiziert
Verwandte Links
- Vishay Silizium-Diode Einfach 300 mA 75 V Oberfläche SOT-23 3-Pin
- DiodesZetex Silizium-Verbindung Einfach 300 mA 75 V Oberfläche SOT-23 3-Pin
- Vishay Silizium-Diode Kleinsignaldiode 350 mA 75 V Oberfläche SOD-323 2-Pin
- Vishay Silizium-Diode Einfach 200 mA 200 V Oberfläche SOT-23 3-Pin
- Nexperia Silizium-Verbindung Einfach 215 mA 75 V Oberfläche SOT-23 3-Pin
- Vishay Silizium-Verbindung Einfach 300 mA 75 V Oberfläche SOD-80 2-Pin
- DiodesZetex BAV70 Oberfläche Silizium-Verbindung Wechselnd Gemeinsame Kathode, 75 V / 300 mA, 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex BAW56 Oberfläche Silizium-Verbindung Wechselnd Gemeinsame Anode, 75 V / 300 mA, 3-Pin SOT-23
