Vishay Silizium-Diode Einfach 200 mA 200 V Oberfläche SOT-23 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 180-8755
- Herst. Teile-Nr.:
- BAS21-E3-08
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt sichern
1000 weitere Einheiten hinzufügen, um - zu sparen
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 100 Stück)*
CHF 7.10
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 18. Oktober 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* | Ihre Ersparnis |
|---|---|---|---|
| 100 - 900 | CHF 0.071 | CHF 7.07 | - |
| 1000 - 2400 | CHF 0.071 | CHF 6.67 | - |
| 2500 - 4900 | CHF 0.061 | CHF 6.36 | 14% |
| 5000 - 9900 | CHF 0.051 | CHF 5.25 | 28% |
| 10000 + | CHF 0.04 | CHF 3.94 | 43% |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 180-8755
- Herst. Teile-Nr.:
- BAS21-E3-08
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Maximaler Durchlassstrom If | 200mA | |
| Produkt Typ | Silizium-Diode | |
| Diodenkonfiguration | Einfach | |
| Subtyp | Siliziumdiode | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm | 2.5A | |
| Betriebstemperatur min. | -65°C | |
| Spitzensperrverzögerungszeit trr | 50ns | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 250mW | |
| Maximale Durchlassspannung Vf | 1.25V | |
| Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm | 200V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 3.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 2.6mm | |
| Höhe | 1.15mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Maximaler Durchlassstrom If 200mA | ||
Produkt Typ Silizium-Diode | ||
Diodenkonfiguration Einfach | ||
Subtyp Siliziumdiode | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Pinanzahl 3 | ||
Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm 2.5A | ||
Betriebstemperatur min. -65°C | ||
Spitzensperrverzögerungszeit trr 50ns | ||
Maximale Verlustleistung Pd 250mW | ||
Maximale Durchlassspannung Vf 1.25V | ||
Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm 200V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 3.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 2.6mm | ||
Höhe 1.15mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Vishay Schaltdiode
Die Vishay Schaltdiode hat eine elektrische Nennleistung von 250 V Rückspannung und 100 nA Rückstrom. Eine Schaltdiode ist eine zweipolige PN-Abzweigvorrichtung, die zum Schalten von Signalen oder als Gleichrichter bei niedrigen Spannungen verwendet werden kann. Er hat einen Durchlassstrom von 200 mA und eine Durchlassspannung von 1,25 V.
Eigenschaften und Vorteile
• Es handelt sich um ein epitaxiales Kleinsignal-Schnellschaltgerät aus Silizium
• Markierungstyp ist A82
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.
• Die Verlustleistung beträgt 250 mW
• Die Wiederherstellungszeit beträgt 50 ns
• SMD-Gerät
Anwendungen
• Schnelle Schaltgeräte
Zertifizierungen
• AEC-Q101
• E3-zertifiziert
Verwandte Links
- Vishay Silizium-Diode Einfach 200 mA 200 V Oberfläche SOT-23 3-Pin
- Vishay Silizium-Diode Einfach 300 mA 75 V Oberfläche SOT-23 3-Pin
- DiodesZetex Silizium-Verbindung Einfach 400 mA 250 V Oberfläche SOT-23 3-Pin
- Vishay Gleichrichter & Schottky-Diode Einfach Oberfläche, SMD SOT-23 3-Pin
- onsemi Silizium-Verbindung Einfach 200 mA 200 V Oberfläche SOT-23 3-Pin
- Nexperia Silizium-Verbindung Einfach 200 mA 120 V Oberfläche SOT-23 3-Pin
- onsemi Silizium-Verbindung Einfach 200 mA 250 V Oberfläche SOT-23 3-Pin
- onsemi Silizium-Verbindung Einfach 200 mA 100 V Oberfläche SOT-23 3-Pin