Vishay Silizium-Diode Einfach 200 mA 200 V Oberfläche SOT-23 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 180-8755P
- Herst. Teile-Nr.:
- BAS21-E3-08
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
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- Herst. Teile-Nr.:
- BAS21-E3-08
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Maximaler Durchlassstrom If | 200mA | |
| Produkt Typ | Silizium-Diode | |
| Diodenkonfiguration | Einfach | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Subtyp | Siliziumdiode | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm | 200V | |
| Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm | 2.5A | |
| Maximale Durchlassspannung Vf | 1.25V | |
| Betriebstemperatur min. | -65°C | |
| Spitzensperrverzögerungszeit trr | 50ns | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 250mW | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 3.1mm | |
| Höhe | 1.15mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Maximaler Durchlassstrom If 200mA | ||
Produkt Typ Silizium-Diode | ||
Diodenkonfiguration Einfach | ||
Montageart Oberfläche | ||
Subtyp Siliziumdiode | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Pinanzahl 3 | ||
Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm 200V | ||
Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm 2.5A | ||
Maximale Durchlassspannung Vf 1.25V | ||
Betriebstemperatur min. -65°C | ||
Spitzensperrverzögerungszeit trr 50ns | ||
Maximale Verlustleistung Pd 250mW | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 3.1mm | ||
Höhe 1.15mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Vishay Schaltdiode
Die Vishay Schaltdiode hat eine elektrische Nennleistung von 250 V Rückspannung und 100 nA Rückstrom. Eine Schaltdiode ist eine zweipolige PN-Abzweigvorrichtung, die zum Schalten von Signalen oder als Gleichrichter bei niedrigen Spannungen verwendet werden kann. Er hat einen Durchlassstrom von 200 mA und eine Durchlassspannung von 1,25 V.
Eigenschaften und Vorteile
• Es handelt sich um ein epitaxiales Kleinsignal-Schnellschaltgerät aus Silizium
• Markierungstyp ist A82
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.
• Die Verlustleistung beträgt 250 mW
• Die Wiederherstellungszeit beträgt 50 ns
• SMD-Gerät
Anwendungen
• Schnelle Schaltgeräte
Zertifizierungen
• AEC-Q101
• E3-zertifiziert