Nexperia Schaltdiode Einfach 250 mA 100 V Oberfläche SOD-323 2-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 182-1844
- Herst. Teile-Nr.:
- BAS316,115
- Marke:
- Nexperia
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- RS Best.-Nr.:
- 182-1844
- Herst. Teile-Nr.:
- BAS316,115
- Marke:
- Nexperia
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Maximaler Durchlassstrom If | 250mA | |
| Produkt Typ | Schaltdiode | |
| Diodenkonfiguration | Einfach | |
| Subtyp | Schaltdiode | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | SOD-323 | |
| Pinanzahl | 2 | |
| Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm | 4A | |
| Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm | 100V | |
| Betriebstemperatur min. | -65°C | |
| Spitzensperrverzögerungszeit trr | 4ns | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 400mW | |
| Maximale Durchlassspannung Vf | 1.25V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 1.35mm | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Länge | 1.8mm | |
| Serie | BAS316 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Maximaler Durchlassstrom If 250mA | ||
Produkt Typ Schaltdiode | ||
Diodenkonfiguration Einfach | ||
Subtyp Schaltdiode | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße SOD-323 | ||
Pinanzahl 2 | ||
Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm 4A | ||
Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm 100V | ||
Betriebstemperatur min. -65°C | ||
Spitzensperrverzögerungszeit trr 4ns | ||
Maximale Verlustleistung Pd 400mW | ||
Maximale Durchlassspannung Vf 1.25V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 1.35mm | ||
Höhe 1.1mm | ||
Länge 1.8mm | ||
Serie BAS316 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Schaltdioden für alle Anwendungen. Für Standard- oder Hochgeschwindigkeitsschaltungen bietet das Nexperia-Portfolio eine Vielzahl von ein- und zweikanaligen Lösungen für verschiedene Gehäuseoptionen und erfüllt so alle Ihre Designanforderungen. Eine große Auswahl von Geräten steht Ihnen zu Verfügung, mit maximalen Schaltgeschwindigkeiten von 4 Nanosekunden und einer Sperrspannung von bis zu 300 V. Geliefert in einer Reihe von in der Branche beliebten Gehäusen, z. B. SOT23 / SOT323. Für platzsparende Designs können Sie auch aus einer wachsende Zahl von DFN-Gehäusen auswählen.
Hochgeschwindigkeitsschaltdioden, vergossen in kleinen SMD-Kunststoffgehäusen.
Hohe Schaltgeschwindigkeit: trr ≤ 4 ns
Niedrige Kapazität
Niedriger Leckstrom
Sperrspannung: VR ≤ 100 V
Sich wiederholende maximale Sperrspannung: VRRM ≤ 100 V
Kleine SMD-Kunststoffgehäuse
Hochgeschwindigkeitsschalten
Universelles Schalten
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