Infineon Silizium-Verbindung Einfach 80 A 650 V Durchsteckmontage TO-247 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 218-4383
- Herst. Teile-Nr.:
- IDW80C65D2XKSA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | CHF 1.697 | CHF 50.90 |
| 60 - 120 | CHF 1.616 | CHF 48.36 |
| 150 - 270 | CHF 1.545 | CHF 46.33 |
| 300 - 570 | CHF 1.475 | CHF 44.30 |
| 600 + | CHF 1.374 | CHF 41.24 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 218-4383
- Herst. Teile-Nr.:
- IDW80C65D2XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Silizium-Verbindung | |
| Diodenkonfiguration | Einfach | |
| Maximaler Durchlassstrom If | 80A | |
| Subtyp | Siliziumverbindung | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Spitzensperrverzögerungszeit trr | 36ns | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 180W | |
| Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm | 650V | |
| Maximale Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm | 250A | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 16.13mm | |
| Serie | IDW80C65D2 | |
| Breite | 5.21mm | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC | |
| Höhe | 41.42mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Silizium-Verbindung | ||
Diodenkonfiguration Einfach | ||
Maximaler Durchlassstrom If 80A | ||
Subtyp Siliziumverbindung | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Pinanzahl 3 | ||
Spitzensperrverzögerungszeit trr 36ns | ||
Maximale Verlustleistung Pd 180W | ||
Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm 650V | ||
Maximale Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm 250A | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 16.13mm | ||
Serie IDW80C65D2 | ||
Breite 5.21mm | ||
Normen/Zulassungen JEDEC | ||
Höhe 41.42mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon Rapid 1-Serie Schalt-Emitter-Controller Power Silizium-Diode in gemeinsamer Kathodenkonfiguration und in einem TO-247-Gehäuse, die eine Designoptimierung für kompaktere Abmessungen, einfachere Montage und damit geringere Kosten ermöglicht. Es wird in verschiedenen Anwendungen wie Telekommunikation, USV, Schweißen, Adapter, Haushaltsgeräte und Klimaanlagen eingesetzt. Er hat einen Durchlassstrom von 80 A.
1,35 V temperaturstabile Durchlassspannung
Höchster Weichheitsfaktor für ultimative Weichheit und geringe EMI-Filterung
Niedrige Rückgewinnungsladung
Niedriger Rückstellstrom
Für Anwendungen, die zwischen 18 kHz und 40 kHz wechseln
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