ROHM Silizium-Verbindung Einfach 500 mA 200 V Oberfläche TO-252GE 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 223-6292
- Herst. Teile-Nr.:
- RF501BGE2STL
- Marke:
- ROHM
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- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | Silizium-Verbindung | |
| Diodenkonfiguration | Einfach | |
| Maximaler Durchlassstrom (If) | 500 mA | |
| Maximale Spitzensperrwiederholspannung (Vrrm) | 200 V | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | TO-252GE | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Höhe | 2.3 mm | |
| Länge | 10 mm | |
| Maximale Durchlassspannung (Vf) | 920 mV | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom (Ifsm) | 40 A | |
| Spitzensperrverzögerungszeit (trr) | 25 ns | |
| Serie | RF501BGE2S | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Subtyp | Siliziumverbindung | |
| Breite | 6.6 mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ Silizium-Verbindung | ||
Diodenkonfiguration Einfach | ||
Maximaler Durchlassstrom (If) 500 mA | ||
Maximale Spitzensperrwiederholspannung (Vrrm) 200 V | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße TO-252GE | ||
Pinanzahl 3 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Höhe 2.3 mm | ||
Länge 10 mm | ||
Maximale Durchlassspannung (Vf) 920 mV | ||
Maximale Betriebstemperatur 150 °C | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom (Ifsm) 40 A | ||
Spitzensperrverzögerungszeit (trr) 25 ns | ||
Serie RF501BGE2S | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Subtyp Siliziumverbindung | ||
Breite 6.6 mm | ||
The ROHM super fast recovery diode mainly used for general rectification. It has 200 V reverse voltage rating.
Low switching loss
Low forward voltage
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