Infineon Schaltdiode Schnelle Schaltgeschwindigkeit 12 A 1200 V Oberfläche TO-220 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 258-0972
- Herst. Teile-Nr.:
- IDP12E120XKSA1
- Marke:
- Infineon
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| 100 - 200 | CHF.0.859 | CHF.42.88 |
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- RS Best.-Nr.:
- 258-0972
- Herst. Teile-Nr.:
- IDP12E120XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler Durchlassstrom If | 12A | |
| Produkt Typ | Schaltdiode | |
| Diodenkonfiguration | Schnelle Schaltgeschwindigkeit | |
| Subtyp | Dioden und Gleichrichter | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Maximale Durchlassspannung Vf | 1.65V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 96W | |
| Spitzensperrverzögerungszeit trr | 150ns | |
| Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm | 63A | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm | 1200V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Serie | IDP12E120 | |
| Normen/Zulassungen | IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler Durchlassstrom If 12A | ||
Produkt Typ Schaltdiode | ||
Diodenkonfiguration Schnelle Schaltgeschwindigkeit | ||
Subtyp Dioden und Gleichrichter | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Pinanzahl 3 | ||
Maximale Durchlassspannung Vf 1.65V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 96W | ||
Spitzensperrverzögerungszeit trr 150ns | ||
Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm 63A | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm 1200V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Serie IDP12E120 | ||
Normen/Zulassungen IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die emittergesteuerte Silizium-Leistungsdiode von Infineon in einem echten TO-220-2-Bein-Gehäuse zeigt ausgezeichnete Weichheit und VF-Verhalten und ist mit einem Tj(max.) von 150 °C qualifiziert. Die Dioden sind auch halogenfrei gemäß IEC61249-2-21 erhältlich.
Kühleres Gehäuse und höherer Wirkungsgrad
Ausgezeichnetes elektromagnetisches Verhalten
Ausgezeichneter Kompromiss zwischen Kosten und Leistung
Geringe Leitungsverluste
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