Nexperia Silizium-Verbindung Einfach 200 mA 120 V Oberfläche SOT-23 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 725-8641
- Herst. Teile-Nr.:
- BAS19,215
- Marke:
- Nexperia
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- RS Best.-Nr.:
- 725-8641
- Herst. Teile-Nr.:
- BAS19,215
- Marke:
- Nexperia
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Diodenkonfiguration | Einfach | |
| Produkt Typ | Silizium-Verbindung | |
| Maximaler Durchlassstrom If | 200mA | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Subtyp | Siliziumverbindung | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm | 2.5A | |
| Spitzensperrverzögerungszeit trr | 4ns | |
| Betriebstemperatur min. | -65°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 250mW | |
| Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm | 120V | |
| Maximale Durchlassspannung Vf | 1.25V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Serie | BAS19 | |
| Breite | 1.4mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 3mm | |
| Höhe | 1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Diodenkonfiguration Einfach | ||
Produkt Typ Silizium-Verbindung | ||
Maximaler Durchlassstrom If 200mA | ||
Montageart Oberfläche | ||
Subtyp Siliziumverbindung | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Pinanzahl 3 | ||
Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm 2.5A | ||
Spitzensperrverzögerungszeit trr 4ns | ||
Betriebstemperatur min. -65°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 250mW | ||
Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm 120V | ||
Maximale Durchlassspannung Vf 1.25V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Serie BAS19 | ||
Breite 1.4mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 3mm | ||
Höhe 1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Kleinsignal-Schaltdioden, Nexperia
Merkmale
Unterstützt kundenspezifische Schaltungsaufbauten mit hoher Dichte
Typen mit geringem Leckstrom und Hochspannung sind erhältlich
Hohe Schaltgeschwindigkeiten
Niedrige Kapazität
Dioden und Gleichrichter
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