STMicroelectronics Silizium-Verbindung Einfach 8 A 1.2 kV Oberfläche TO-263 3-Pin

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Herst. Teile-Nr.:
STTH812G-TR
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

Silizium-Verbindung

Diodenkonfiguration

Einfach

Maximaler Durchlassstrom If

8A

Montageart

Oberfläche

Subtyp

Siliziumverbindung

Gehäusegröße

TO-263

Pinanzahl

3

Betriebstemperatur min.

-65°C

Maximale Durchlassspannung Vf

2.2V

Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm

100A

Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm

1.2kV

Spitzensperrverzögerungszeit trr

50ns

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

9.35mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.4mm

Höhe

4.6mm

Automobilstandard

Nein

Gleichrichterdioden, 4 A bis 9 A, STMicroelectronics


Dioden und -Gleichrichter, STMicroelectronics


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