onsemi Silizium-Verbindung Einfach 200 mA 100 V Oberfläche SOT-23 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 808-3955
- Herst. Teile-Nr.:
- SBAS16LT1G
- Marke:
- onsemi
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- RS Best.-Nr.:
- 808-3955
- Herst. Teile-Nr.:
- SBAS16LT1G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Maximaler Durchlassstrom If | 200mA | |
| Produkt Typ | Silizium-Verbindung | |
| Diodenkonfiguration | Einfach | |
| Subtyp | Siliziumverbindung | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 300mW | |
| Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm | 0.5A | |
| Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm | 100V | |
| Spitzensperrverzögerungszeit trr | 6ns | |
| Maximale Durchlassspannung Vf | 1.25V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 3.04mm | |
| Höhe | 1.01mm | |
| Serie | BAS16L | |
| Normen/Zulassungen | Pb-Free, RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Maximaler Durchlassstrom If 200mA | ||
Produkt Typ Silizium-Verbindung | ||
Diodenkonfiguration Einfach | ||
Subtyp Siliziumverbindung | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Pinanzahl 3 | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 300mW | ||
Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm 0.5A | ||
Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm 100V | ||
Spitzensperrverzögerungszeit trr 6ns | ||
Maximale Durchlassspannung Vf 1.25V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 3.04mm | ||
Höhe 1.01mm | ||
Serie BAS16L | ||
Normen/Zulassungen Pb-Free, RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Kleinsignal-Schaltdioden, ON Semiconductor
Standards
Produkte mit Teilenummern mit dem Präfix S- sind gemäß AEC-Q101 für die Kraftfahrttechnik geeignet.
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