Infineon Silizium-Diode Einfach 7.5 A 650 V Durchsteckmontage TO-220 2-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 914-0201
- Herst. Teile-Nr.:
- IDV15E65D2XKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
CHF.5.45
Auf Lager
- 30 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
- Zusätzlich 8'020 Einheit(en) mit Versand ab 25. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 + | CHF.0.545 | CHF.5.43 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 914-0201
- Herst. Teile-Nr.:
- IDV15E65D2XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Silizium-Diode | |
| Diodenkonfiguration | Einfach | |
| Maximaler Durchlassstrom If | 7.5A | |
| Subtyp | Siliziumverbindung | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Pinanzahl | 2 | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 34W | |
| Maximale Durchlassspannung Vf | 2.2V | |
| Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm | 650V | |
| Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm | 100A | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Spitzensperrverzögerungszeit trr | 51ns | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 16.15mm | |
| Länge | 10.65mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Silizium-Diode | ||
Diodenkonfiguration Einfach | ||
Maximaler Durchlassstrom If 7.5A | ||
Subtyp Siliziumverbindung | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Pinanzahl 2 | ||
Maximale Verlustleistung Pd 34W | ||
Maximale Durchlassspannung Vf 2.2V | ||
Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm 650V | ||
Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm 100A | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Spitzensperrverzögerungszeit trr 51ns | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 16.15mm | ||
Länge 10.65mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon-Diode, 7,5 A maximaler Vorwärtsstrom, 650 V maximale Sperrspannung - IDV15E65D2XKSA1
Diese Diode ist eine robuste Leistungsdiode in Einzelkonfiguration, die für Hochtemperaturanwendungen entwickelt wurde. Er wird in Siliziumtechnologie gefertigt und ist in einem TO-220-Gehäuse untergebracht, das kompakte Abmessungen von 10,65 x 4,85 x 16,15 mm aufweist. Die Diode unterstützt einen maximalen Durchlassstrom von 7,5 A und hat eine maximale Sperrspannung von 650 V.
Eigenschaften und Vorteile
• Elektrisch isoliertes FullPAK für einfache Montage
• Hochspannungsspezifikation ermöglicht vielseitige Anforderungen
• Schnelle Wiederherstellung verbessert die Effizienz in schnellen Umschaltszenarien
• Niedriger Spannungsabfall in Vorwärtsrichtung optimiert die Energienutzung
Anwendungen
• Verwendung als Aufwärtsdiode bei der Korrektur des Leistungsfaktors im Dauerstrombetrieb
• Geeignet für automatisierte elektronische Schaltungen und Leistungssteuerungssysteme
• Integriert in Industriemaschinen für zuverlässigen Betrieb
• Einsatz in elektrischen Geräten, die eine hohe Hitzebeständigkeit erfordern
Welche Stromstärke unterstützt es im Betrieb?
Er unterstützt einen maximalen kontinuierlichen Durchlassstrom von 7,5 A und gewährleistet so eine zuverlässige Leistung in anspruchsvollen Anwendungen.
Welcher Höchsttemperatur kann sie standhalten?
Es kann in einem Temperaturbereich von -40°C bis +175°C betrieben werden und eignet sich somit für Umgebungen mit hohen Temperaturen.
Wie wirkt sich der Vorwärtsspannungsabfall auf die Effizienz der Schaltung aus?
Mit einem maximalen Durchlass-Spannungsabfall von 2,2 V werden Energieverluste minimiert und die Gesamteffizienz der Schaltung im Betrieb verbessert.
Welche Bedeutung hat der Gehäusetyp der Diode?
Der TO-220-Gehäusetyp bietet eine verbesserte Wärmeableitung und unterstützt eine einfache Montage, was für die Aufrechterhaltung der Leistung in Hochleistungsanwendungen entscheidend ist.
In welchen Fällen ist diese Diode zu empfehlen?
Er wird besonders für Anwendungen empfohlen, die ein schnelles Schalten und eine niedrige Rückspeiseleistung erfordern, was ideal für die Leistungsfaktorkorrektur in industriellen Umgebungen ist.
Verwandte Links
- Infineon Silizium-Diode Einfach 7.5 A 650 V Durchsteckmontage TO-220 2-Pin
- Infineon Silizium-Verbindung Einfach 80 A 650 V Durchsteckmontage TO-220 2-Pin
- Infineon XDH20G65 Durchsteckmontage Schottky-Barrier-Diode Schottky-Diode Einfach, 650 V / 41 A TO-220
- Infineon Silizium-Verbindung Einfach 80 A 650 V Durchsteckmontage TO-247 3-Pin
- Infineon Silizium-Verbindung Einfach 15 A 650 V Durchsteckmontage TO-247 3-Pin
- Infineon Silizium-Verbindung Einfach 40 A 650 V Durchsteckmontage TO-247 3-Pin
- Infineon Silizium-Verbindung Einfach 75 A 650 V Durchsteckmontage TO-247 3-Pin
- Infineon Silizium-Verbindung Einfach 30 A 650 V Durchsteckmontage TO-247 3-Pin
