TE Connectivity CRGH Dickschicht SMD-Widerstand 68 Ω ±5 % Oberfläche / 2 W -200 ppm/°C, +200 ppm/°C, 2512 Gehäuse
- RS Best.-Nr.:
- 162-0001
- Herst. Teile-Nr.:
- CRGH2512J68R
- Marke:
- TE Connectivity
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- RS Best.-Nr.:
- 162-0001
- Herst. Teile-Nr.:
- CRGH2512J68R
- Marke:
- TE Connectivity
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | TE Connectivity | |
| Produkt Typ | SMD-Widerstand | |
| Widerstand | 68Ω | |
| Technologie | Dickschicht | |
| Widerstandstyp | Leistungswiderstand | |
| Gehäusegröße | 2512 | |
| Verpackungsart | Band und Rolle | |
| Toleranz | ±5 % | |
| Spannung | 250V | |
| Nennleistung | 2W | |
| Temperaturkoeffizient | -200 ppm/°C, +200 ppm/°C | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Serie | CRGH | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 155°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 6.35mm | |
| Anschlussart | Lot | |
| Höhe | 0.6mm | |
| Breite | 0.55mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke TE Connectivity | ||
Produkt Typ SMD-Widerstand | ||
Widerstand 68Ω | ||
Technologie Dickschicht | ||
Widerstandstyp Leistungswiderstand | ||
Gehäusegröße 2512 | ||
Verpackungsart Band und Rolle | ||
Toleranz ±5 % | ||
Spannung 250V | ||
Nennleistung 2W | ||
Temperaturkoeffizient -200 ppm/°C, +200 ppm/°C | ||
Montageart Oberfläche | ||
Automobilstandard Nein | ||
Serie CRGH | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 155°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 6.35mm | ||
Anschlussart Lot | ||
Höhe 0.6mm | ||
Breite 0.55mm | ||
- Ursprungsland:
- TH
Widerstand Serie CRGH, Format 2512, 5 %, 2 W
Chip-Widerstände der Serie CRGH sind die Hochleistungsversion der Serie CRG, die bei gleicher Gehäusegröße die doppelte Nennleistung bei 70 °C erreichen (z. B.: der 2512 CRGH ist für 2 W anstelle von 1 W beim CRG geeignet)
Die Serie CRGH ist für die meisten Anwendungen geeignet, einschließlich Hochfrequenzbetrieb durch kurze Kabelstruktur und niedrige Kapazität
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