TE Connectivity Dünnschicht 51.1 Ω ±1 % / 2 W, 1206 Gehäuse
- RS Best.-Nr.:
- 252-7621
- Herst. Teile-Nr.:
- 3503G2B51R1FTDF
- Marke:
- TE Connectivity
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- RS Best.-Nr.:
- 252-7621
- Herst. Teile-Nr.:
- 3503G2B51R1FTDF
- Marke:
- TE Connectivity
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | TE Connectivity | |
| Widerstand | 51.1Ω | |
| Technologie | Dünnschicht | |
| Gehäusegröße | 1206 | |
| Toleranz | ±1 % | |
| Nennleistung | 2W | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke TE Connectivity | ||
Widerstand 51.1Ω | ||
Technologie Dünnschicht | ||
Gehäusegröße 1206 | ||
Toleranz ±1 % | ||
Nennleistung 2W | ||
- Ursprungsland:
- TW
Der Dünnschicht-Leistungswiderstand von TE Connectivity hat eine hohe Stabilität. Dieser Chip-Leistungswiderstand bietet eine sehr hohe Leistung von 2 W in der Größe 1206. Die Widerstandstoleranz beträgt standardmäßig ±1 %. Die Widerstände verfügen über genaue und einheitliche Abmessungen, um Methoden der automatischen Platzierung zu erleichtern.
Hohe Wärmeleitfähigkeit
Aluminiumnitrid-Substrat
TCR ±50ppm/°C
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