STMicroelectronics 1 TVS-Diode Unidirektional Einfach 600 W 11.1 V min., 2-Pin, Oberfläche 10 V max
- RS Best.-Nr.:
- 192-5152
- Herst. Teile-Nr.:
- SMB6F10A
- Marke:
- STMicroelectronics
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- RS Best.-Nr.:
- 192-5152
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- SMB6F10A
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Produkt Typ | TVS-Diode | |
| Direction Typ | Unidirektional | |
| Diodenkonfiguration | Einfach | |
| Höchstzulässige Pulsverlustleistung (Pppm) | 600 W | |
| Durchbruchsspannung min. (Vbr) | 11.1 V | |
| Pinanzahl | 2 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Maximale Sperrspannung (Vwm) | 10 V | |
| Klemmenspannung | 21.7 V | |
| ESD Schutz | Ja | |
| Höhe | 1.05 mm | |
| Länge | 3.95 mm | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175 °C | |
| Impulsspitzenstrom max. (Ippm) | 184 A | |
| Sperrstrom max. | 1 μA | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Breite | 4.6 mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Produkt Typ TVS-Diode | ||
Direction Typ Unidirektional | ||
Diodenkonfiguration Einfach | ||
Höchstzulässige Pulsverlustleistung (Pppm) 600 W | ||
Durchbruchsspannung min. (Vbr) 11.1 V | ||
Pinanzahl 2 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Maximale Sperrspannung (Vwm) 10 V | ||
Klemmenspannung 21.7 V | ||
ESD Schutz Ja | ||
Höhe 1.05 mm | ||
Länge 3.95 mm | ||
Maximale Betriebstemperatur 175 °C | ||
Impulsspitzenstrom max. (Ippm) 184 A | ||
Sperrstrom max. 1 μA | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Breite 4.6 mm | ||
- Ursprungsland:
- MA
The SMB6FxxA series are designed to protect sensitive circuits against surges. The Planar technology makes it compatible with high-end circuits where low leakage current and high junction temperature are required to provide long term reliability and stability.
Peak Pulse power: 600 W (10/1000 μs) and 4 kW (8/20 μs)
Flat and thin package: 1 mm
Stand-off voltage range from 5 V to 188 V
Unidirectional type
Low leakage current: 0.2 μA at 25 °C and 1 μA at 85 °C
Operating Tj max: 175 °C
High power capability at Tj max.: up to 470 W (10/1000 μs)
Lead finishing: matte tin plating
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