WeEn Semiconductors Co., Ltd 7.5 A 650 V, Gate-Trigger 15 mA 132 A 1.75 V 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 509-443
- Herst. Teile-Nr.:
- BT151S-650R,118
- Marke:
- WeEn Semiconductors Co., Ltd
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- RS Best.-Nr.:
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- BT151S-650R,118
- Marke:
- WeEn Semiconductors Co., Ltd
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | WeEn Semiconductors Co., Ltd | |
| Durchschnittlicher Nennstrom im Ein-Zustand (Irms) | 7.5 A | |
| Wiederkehrende Spitzensperrspannung (VDRM) | 650 V | |
| Gate-Trigger-Strom max. (Igt) | 15 mA | |
| Spitzenstrom | 132 A | |
| Spitzen-Durchlassspannung | 1.75 V | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gate-Trigger-Spannung max. (Vgt) | 1.5 V | |
| Maximaler Haltestrom (Ih) | 20 mA | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125 °C | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Spitzen Off-State Strom periodisch | 500 μA | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke WeEn Semiconductors Co., Ltd | ||
Durchschnittlicher Nennstrom im Ein-Zustand (Irms) 7.5 A | ||
Wiederkehrende Spitzensperrspannung (VDRM) 650 V | ||
Gate-Trigger-Strom max. (Igt) 15 mA | ||
Spitzenstrom 132 A | ||
Spitzen-Durchlassspannung 1.75 V | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gate-Trigger-Spannung max. (Vgt) 1.5 V | ||
Maximaler Haltestrom (Ih) 20 mA | ||
Maximale Betriebstemperatur 125 °C | ||
Montageart Oberfläche | ||
Spitzen Off-State Strom periodisch 500 μA | ||
Phase Control Thyristors, WeEn Semiconductors
Thyristors - WeEn Semiconductors;A Thyristor is a solid-state semiconductor device with four layers of alternating N and P-type material. They act as bistable switches, conducting when their gate receives a current trigger, and continue to conduct while they are forward biased. Thyristors are synonymous to Silicon-Controlled Rectifier (SCR).;Planar passivated Silicon Controlled Rectifier (SCR) in a SOT78 plastic package intended for use in applications requiring high bidirectional blocking voltage capability, high surge current capability and high thermal cycling performance.
Key Features
Thyristors - WeEn Semiconductors
A Thyristor is a solid-state semiconductor device with four layers of alternating N and P-type material. They act as bistable switches, conducting when their gate receives a current trigger, and continue to conduct while they are forward biased. Thyristors are synonymous to Silicon-Controlled Rectifier (SCR).
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