STMicroelectronics SCR Thyristoren 25 A TO-263 600 V, Gate-Trigger 40 mA 314 A
- RS Best.-Nr.:
- 188-8524
- Herst. Teile-Nr.:
- TN2540-600G-TR
- Marke:
- STMicroelectronics
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | CHF.3.02 | CHF.15.09 |
| 25 - 45 | CHF.2.939 | CHF.14.68 |
| 50 - 120 | CHF.2.858 | CHF.14.29 |
| 125 - 245 | CHF.2.788 | CHF.13.93 |
| 250 + | CHF.2.717 | CHF.13.59 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 188-8524
- Herst. Teile-Nr.:
- TN2540-600G-TR
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | Thyristoren | |
| Durchschnittlicher Nennstrom im Ein-Zustand Irms | 25A | |
| Thyristor-Typ | SCR | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Wiederkehrende Spitzensperrspannung VDRM | 600V | |
| Spitzenstrom | 314A | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gate-Trigger-Strom max. Igt | 40mA | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gate-Trigger-Spannung max. Vgt | 1.3V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximaler Haltestrom Ih | 50mA | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Serie | 25 A SCRs | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Spitzen Off-State Strom periodisch | 5μA | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ Thyristoren | ||
Durchschnittlicher Nennstrom im Ein-Zustand Irms 25A | ||
Thyristor-Typ SCR | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Wiederkehrende Spitzensperrspannung VDRM 600V | ||
Spitzenstrom 314A | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gate-Trigger-Strom max. Igt 40mA | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gate-Trigger-Spannung max. Vgt 1.3V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximaler Haltestrom Ih 50mA | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Serie 25 A SCRs | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Spitzen Off-State Strom periodisch 5μA | ||
Diese Standard-25-A-SCRs sind für allgemeine Anwendungen geeignet. Mit der Clip-Montagetechnologie bieten sie eine überlegene Leistung bei Stoßstrom-Fähigkeiten. TXN625RG ist in TO-220AB-Gehäusen verpackt.
Durchlassstrom eff, IT(RMS)25 A.
Wiederholte Peak-off-Zustandsspannung, VDRM/VRRM600 bis 1200 V
Auslösung Gate-Strom, IGT40 mA
Isoliertes Gehäuse TO-220AB in
Isolationsspannung: 2500 V eff
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