STMicroelectronics SCR Hochtemperatur-SCR mit 20 A 20 A TO-263 600 V, Gate-Trigger 10 mA 180 A 1.6 V
- RS Best.-Nr.:
- 192-4598
- Herst. Teile-Nr.:
- TN2010H-6G
- Marke:
- STMicroelectronics
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- RS Best.-Nr.:
- 192-4598
- Herst. Teile-Nr.:
- TN2010H-6G
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | Hochtemperatur-SCR mit 20 A | |
| Durchschnittlicher Nennstrom im Ein-Zustand Irms | 20A | |
| Thyristor-Typ | SCR | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Wiederkehrende Spitzensperrspannung VDRM | 600V | |
| Spitzenstrom | 180A | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gate-Trigger-Strom max. Igt | 10mA | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gate-Trigger-Spannung max. Vgt | 1.3V | |
| Maximaler Haltestrom Ih | 40mA | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | UL94 V0, ECOPACK2 | |
| Serie | TN | |
| Spitzen Off-State Strom periodisch | 5μA | |
| Spitzen-Durchlassspannung | 1.6V | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ Hochtemperatur-SCR mit 20 A | ||
Durchschnittlicher Nennstrom im Ein-Zustand Irms 20A | ||
Thyristor-Typ SCR | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Wiederkehrende Spitzensperrspannung VDRM 600V | ||
Spitzenstrom 180A | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gate-Trigger-Strom max. Igt 10mA | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gate-Trigger-Spannung max. Vgt 1.3V | ||
Maximaler Haltestrom Ih 40mA | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen UL94 V0, ECOPACK2 | ||
Serie TN | ||
Spitzen Off-State Strom periodisch 5μA | ||
Spitzen-Durchlassspannung 1.6V | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Dieses Gerät bietet eine hohe thermische Leistung im Betrieb von bis zu 20 ARMS dank einer Sperrschichttemperatur von bis zu 150 °C. Das D__LW_AT__2PAK-Gehäuse ermöglicht moderne SMD-Designs sowie eine kompakte Back-to-Back-Konfiguration. Die Kombination aus Störfestigkeit und niedrigem Gate-Auslösestrom ermöglicht die Entwicklung starker und kompakter Steuerschaltkreise.
Hohe Sperrschichttemperatur: TJ = 150 °C.
Hohe Störfestigkeit dV/dt = 400 V/μs bis 150 °C.
Gate-Auslösestrom IGT = 10 mA
Peak-off-Zustandsspannung VDRM/VRRM = 600 V
Hoher Einschaltstromanstieg dI/dt = 100 A/μs
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