STMicroelectronics SCR Thyristor Leistungssteller 30 A TO-220 600 V, Gate-Trigger 15 mA 295 A
- RS Best.-Nr.:
- 202-5576
- Herst. Teile-Nr.:
- TN3015H-6I
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*
CHF.63.65
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF.1.273 | CHF.63.63 |
| 100 - 200 | CHF.1.212 | CHF.60.45 |
| 250 - 450 | CHF.1.131 | CHF.56.76 |
| 500 + | CHF.1.111 | CHF.55.30 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 202-5576
- Herst. Teile-Nr.:
- TN3015H-6I
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Durchschnittlicher Nennstrom im Ein-Zustand Irms | 30A | |
| Produkt Typ | Thyristor Leistungssteller | |
| Thyristor-Typ | SCR | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Wiederkehrende Spitzensperrspannung VDRM | 600V | |
| Spitzenstrom | 295A | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gate-Trigger-Strom max. Igt | 15mA | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gate-Trigger-Spannung max. Vgt | 1.3V | |
| Maximaler Haltestrom Ih | 60mA | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Spitzen Off-State Strom periodisch | 10μA | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Durchschnittlicher Nennstrom im Ein-Zustand Irms 30A | ||
Produkt Typ Thyristor Leistungssteller | ||
Thyristor-Typ SCR | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Wiederkehrende Spitzensperrspannung VDRM 600V | ||
Spitzenstrom 295A | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gate-Trigger-Strom max. Igt 15mA | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gate-Trigger-Spannung max. Vgt 1.3V | ||
Maximaler Haltestrom Ih 60mA | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Spitzen Off-State Strom periodisch 10μA | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der STMicroelectronics Hochtemperaturisolierte Thyristor-SCR bietet einen hohen thermischen Leistungsbetrieb bis zu 30 A eff. Seine Störfestigkeit gegen den Stromabnahme (dV/dt = 1000 V/μs) im Vergleich zu seinem Gate-Auslösestrom (IGT = 15 mA) und seine Einschaltstromerhöhung (dI/dt = 100 A/μs) ermöglichen die Entwicklung eines robusten und kompakten Steuerschaltkreises für den Spannungsregler.
Halogenfreies Formteil
Bleifreie Plattierung
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