STMicroelectronics SCR Thyristoren 10 A TO-263 800 V, Gate-Trigger 8 mA 177 A 1.55 V
- RS Best.-Nr.:
- 269-5165
- Herst. Teile-Nr.:
- TN1605H-8G
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*
CHF.41.90
Auf Lager
- Zusätzlich 450 Einheit(en) mit Versand ab 16. März 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF.0.838 | CHF.41.81 |
| 100 - 100 | CHF.0.798 | CHF.39.74 |
| 150 + | CHF.0.778 | CHF.38.78 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 269-5165
- Herst. Teile-Nr.:
- TN1605H-8G
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | Thyristoren | |
| Durchschnittlicher Nennstrom im Ein-Zustand Irms | 10A | |
| Thyristor-Typ | SCR | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Wiederkehrende Spitzensperrspannung VDRM | 800V | |
| Spitzenstrom | 177A | |
| Gate-Trigger-Strom max. Igt | 8mA | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Trigger-Spannung max. Vgt | 1.3V | |
| Maximaler Haltestrom Ih | 30mA | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, ECOPACK2 | |
| Serie | TN | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Spitzen-Durchlassspannung | 1.55V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ Thyristoren | ||
Durchschnittlicher Nennstrom im Ein-Zustand Irms 10A | ||
Thyristor-Typ SCR | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Wiederkehrende Spitzensperrspannung VDRM 800V | ||
Spitzenstrom 177A | ||
Gate-Trigger-Strom max. Igt 8mA | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Trigger-Spannung max. Vgt 1.3V | ||
Maximaler Haltestrom Ih 30mA | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, ECOPACK2 | ||
Serie TN | ||
Automobilstandard Nein | ||
Spitzen-Durchlassspannung 1.55V | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der siliziumgesteuerte Gleichrichter von STMicroelectronics bietet einen Betrieb mit hoher thermischer Leistung. Seine Kompromiss-Störfestigkeit, der Gate-Triggerstrom und sein Einschaltstromanstieg ermöglichen die Entwicklung eines robusten und kompakten Steuerschaltkreises in AC/DC-Wandlern für Einschaltstrombegrenzungsstromkreise und industrielle Antriebe, wie z. B. Überspannungsschutz, Motorsteuerungsstromkreise und Elektrowerkzeuge.
Halogenfreies Formen
Bleifreie Beschichtung
Verwandte Links
- STMicroelectronics SCR Thyristoren 10 A TO-263 800 V, Gate-Trigger 8 mA 177 A 1.55 V
- STMicroelectronics SCR Thyristoren 8 A JEDEC TO-220AB 800 V, Gate-Trigger 8 mA 177 A 1.55 V
- STMicroelectronics SCR Thyristoren 10 A TO-263 600 V, Gate-Trigger 6 mA 153 A
- Vishay SCR Thyristoren 70 A D-55 1200 V, Gate-Trigger 120 mA 1.74 kA 1.55 V
- Vishay SCR Thyristoren 90 A D-55 600 V, Gate-Trigger 120 mA 1.87 kA 1.55 V
- Vishay SCR Thyristoren 90 A D-55 1 kV, Gate-Trigger 120 mA 1.87 kA 1.55 V
- STMicroelectronics SCR Thyristoren 50 A TO-247 800 V, Gate-Trigger 50 mA 731 A 1.55 V
- Vishay SCR Thyristoren 90 A D-55 1200 V, Gate-Trigger 120 mA 1.87 kA 1.55 V