Vishay IGBT Zweifachthyristormodul 135A INT-A-pak 1200V 3.36kA

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RS Best.-Nr.:
395-8362
Herst. Teile-Nr.:
VS-VSKT136/12PBF
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

On-State Strom durchschnittlich

135A

Thyristor-Typ

IGBT

Gehäusegröße

INT-A-pak

Spitzen-Sperrspannung periodisch

1200V

Spitzenstrom

3.36kA

Montage-Typ

Tafelmontage

Gate-Triggerstrom max.

270mA

Gate-Triggerspannung max.

4V

Haltestrom max.

200mA

Pinanzahl

7

Abmessungen

94 x 35 x 30mm

Betriebstemperatur max.

+125 °C

Durchlassspannung-Spitzenwert

1.57V

Betriebstemperatur min.

-40 °C

Spitzen-Sperr-Durchlassspannung periodisch

1200V

Spitzen Off-State Strom periodisch

50mA

Thyristor/Thyristorserie VS-VSKT, INT-A-PAK-Module, Vishay Semiconductor


Konfiguration mit zwei Thyristoren (SCR)
3500 V eff Isolationsspannung vom Metallsockel
Standardindustriegehäuse INT-A-PAK
Toleriert hohe Stoßwerte

Zulassungen

UL-Zulassung E78996


Thyristoren - Vishay Semiconductor


Ein Thyristor ist ein Halbleitergerät mit vier Schichten aus abwechselndem n- und p-Material. Er verhält sich wie ein bistabiler Schalter, ist leitend, wenn sein Gate einen Stromstoß empfängt, und leitet weiterhin, solange eine Vorspannung anliegt. Thyristoren sind gleichbedeutend mit gesteuerten Silizium-Gleichrichtern (Silicon-Controlled Rectifier; SCR).
Kapselthyristoren mit elektrisch isolierter Grundplatte. Geeignet für Batterieladegeräte, Schweiß- und Galvanisieranlagen, regelbare Netzteile sowie Temperatur- und Drehzahlsteuerungen

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