WeEn Semiconductors Co., Ltd SCR Thyristoren 0.5 A SPT 600 V, Gate-Trigger 0.2 mA 9 A 1.7 V
- RS Best.-Nr.:
- 485-4299
- Herst. Teile-Nr.:
- BT169G,112
- Marke:
- WeEn Semiconductors Co., Ltd
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)*
CHF.5.55
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- Zusätzlich 1'050 Einheit(en) mit Versand ab 10. Juni 2026
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | CHF.0.222 | CHF.5.61 |
| 125 - 225 | CHF.0.222 | CHF.5.58 |
| 250 - 475 | CHF.0.192 | CHF.4.85 |
| 500 - 975 | CHF.0.162 | CHF.4.12 |
| 1000 + | CHF.0.162 | CHF.4.06 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 485-4299
- Herst. Teile-Nr.:
- BT169G,112
- Marke:
- WeEn Semiconductors Co., Ltd
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | WeEn Semiconductors Co., Ltd | |
| Produkt Typ | Thyristoren | |
| Durchschnittlicher Nennstrom im Ein-Zustand Irms | 0.5A | |
| Thyristor-Typ | SCR | |
| Gehäusegröße | SPT | |
| Wiederkehrende Spitzensperrspannung VDRM | 600V | |
| Spitzenstrom | 9A | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Gate-Trigger-Strom max. Igt | 0.2mA | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gate-Trigger-Spannung max. Vgt | 0.8V | |
| Maximaler Haltestrom Ih | 5mA | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Serie | BT169G | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Spitzen Off-State Strom periodisch | 0.1mA | |
| Spitzen-Durchlassspannung | 1.7V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke WeEn Semiconductors Co., Ltd | ||
Produkt Typ Thyristoren | ||
Durchschnittlicher Nennstrom im Ein-Zustand Irms 0.5A | ||
Thyristor-Typ SCR | ||
Gehäusegröße SPT | ||
Wiederkehrende Spitzensperrspannung VDRM 600V | ||
Spitzenstrom 9A | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Gate-Trigger-Strom max. Igt 0.2mA | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gate-Trigger-Spannung max. Vgt 0.8V | ||
Maximaler Haltestrom Ih 5mA | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Serie BT169G | ||
Automobilstandard Nein | ||
Spitzen Off-State Strom periodisch 0.1mA | ||
Spitzen-Durchlassspannung 1.7V | ||
Phasenanschnitt-Thyristoren, WeEn Semiconductors
Hauptmerkmale
Thyristoren - zwischen Halbleitern
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