STMicroelectronics Thyristoren 32 A 1200 V, Gate-Trigger 80 mA 610 A 1.9 V TOP3 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 714-2640
- Herst. Teile-Nr.:
- BTW69-1200RG
- Marke:
- STMicroelectronics
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- RS Best.-Nr.:
- 714-2640
- Herst. Teile-Nr.:
- BTW69-1200RG
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Durchschnittlicher Nennstrom im Ein-Zustand Irms | 32A | |
| Produkt Typ | Thyristoren | |
| Gehäusegröße | TOP3 | |
| Wiederkehrende Spitzensperrspannung VDRM | 1200V | |
| Spitzenstrom | 610A | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Gate-Trigger-Strom max. Igt | 80mA | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gate-Trigger-Spannung max. Vgt | 1.3V | |
| Maximaler Haltestrom Ih | 150mA | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Spitzen-Durchlassspannung | 1.9V | |
| Spitzen Off-State Strom periodisch | 0.01mA | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Durchschnittlicher Nennstrom im Ein-Zustand Irms 32A | ||
Produkt Typ Thyristoren | ||
Gehäusegröße TOP3 | ||
Wiederkehrende Spitzensperrspannung VDRM 1200V | ||
Spitzenstrom 610A | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Gate-Trigger-Strom max. Igt 80mA | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gate-Trigger-Spannung max. Vgt 1.3V | ||
Maximaler Haltestrom Ih 150mA | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Spitzen-Durchlassspannung 1.9V | ||
Spitzen Off-State Strom periodisch 0.01mA | ||
Thyristoren, STMicroelectronics
Ein breites Spektrum von Mehrzweck-Thyristoren von STMicroelectronics mit Nennsperrspannungen von 400 bis 1200 V und einem Durchlassnennstrom von bis zu 50 A.
– STMicroelectronics
STMicroelectronics erzeugt eine große Auswahl an Thyristoren, auch bekannt als SCR oder siliziumgesteuerte Gleichrichter, die für eine Vielzahl von Leistungsschalt- und Steuerungsanwendungen geeignet sind. ZU den Spezialtypen gehören empfindliches Gate-Thyristoren und Geräte für Anwendungen im Bereich der Kapazitätsentladung.
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