Littelfuse SCR Thyristoren 2.55 A TO-225 200 V, Gate-Trigger 500 μA 20 A 2.2 V
- RS Best.-Nr.:
- 774-3458
- Herst. Teile-Nr.:
- C106BG
- Marke:
- Littelfuse
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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CHF.4.85
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | CHF.0.485 | CHF.4.82 |
| 100 - 240 | CHF.0.444 | CHF.4.42 |
| 250 - 490 | CHF.0.414 | CHF.4.16 |
| 500 - 990 | CHF.0.384 | CHF.3.84 |
| 1000 + | CHF.0.354 | CHF.3.54 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 774-3458
- Herst. Teile-Nr.:
- C106BG
- Marke:
- Littelfuse
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Littelfuse | |
| Produkt Typ | Thyristoren | |
| Durchschnittlicher Nennstrom im Ein-Zustand Irms | 2.55A | |
| Thyristor-Typ | SCR | |
| Gehäusegröße | TO-225 | |
| Wiederkehrende Spitzensperrspannung VDRM | 200V | |
| Spitzenstrom | 20A | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Gate-Trigger-Strom max. Igt | 500μA | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximaler Haltestrom Ih | 6mA | |
| Gate-Trigger-Spannung max. Vgt | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 110°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Serie | C106 | |
| Spitzen-Durchlassspannung | 2.2V | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Spitzen Off-State Strom periodisch | 100μA | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Littelfuse | ||
Produkt Typ Thyristoren | ||
Durchschnittlicher Nennstrom im Ein-Zustand Irms 2.55A | ||
Thyristor-Typ SCR | ||
Gehäusegröße TO-225 | ||
Wiederkehrende Spitzensperrspannung VDRM 200V | ||
Spitzenstrom 20A | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Gate-Trigger-Strom max. Igt 500μA | ||
Pinanzahl 3 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximaler Haltestrom Ih 6mA | ||
Gate-Trigger-Spannung max. Vgt 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 110°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Serie C106 | ||
Spitzen-Durchlassspannung 2.2V | ||
Automobilstandard Nein | ||
Spitzen Off-State Strom periodisch 100μA | ||
Phasenanschnittsteuerungs-Thyristoren, ON Semiconductor
Thyristoren – ON Semiconductor
Ein Thyristor ist ein Halbleitergerät mit vier Schichten aus abwechselndem n- und p-Material. Er verhält sich wie ein bistabiler Schalter, ist leitend, wenn sein Gate einen Stromstoß empfängt, und leitet weiterhin, solange eine Vorspannung anliegt. Thyristoren sind gleichbedeutend mit gesteuerten Silizium-Gleichrichtern (Silicon-Controlled Rectifier; SCR).
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