Littelfuse SCR Empfindlicher Gate-Silizium-gesteuerter Gleichrichter 0.8 A SOT-223 600 V, Gate-Trigger 200 μA 8 A 1.7 V
- RS Best.-Nr.:
- 792-5650
- Herst. Teile-Nr.:
- MCR08BT1G
- Marke:
- Littelfuse
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Stück | Pro Stück | Pro Gurtabschnitt* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | CHF.0.374 | CHF.3.78 |
| 100 - 240 | CHF.0.343 | CHF.3.47 |
| 250 - 490 | CHF.0.323 | CHF.3.25 |
| 500 - 990 | CHF.0.303 | CHF.3.00 |
| 1000 + | CHF.0.283 | CHF.2.78 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 792-5650
- Herst. Teile-Nr.:
- MCR08BT1G
- Marke:
- Littelfuse
Technische Daten
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Littelfuse | |
| Produkt Typ | Empfindlicher Gate-Silizium-gesteuerter Gleichrichter | |
| Durchschnittlicher Nennstrom im Ein-Zustand Irms | 0.8A | |
| Thyristor-Typ | SCR | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Wiederkehrende Spitzensperrspannung VDRM | 600V | |
| Spitzenstrom | 8A | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gate-Trigger-Strom max. Igt | 200μA | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Gate-Trigger-Spannung max. Vgt | 0.8V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximaler Haltestrom Ih | 5mA | |
| Maximale Betriebstemperatur | 110°C | |
| Serie | MCR08B | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Spitzen Off-State Strom periodisch | 200μA | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Spitzen-Durchlassspannung | 1.7V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Littelfuse | ||
Produkt Typ Empfindlicher Gate-Silizium-gesteuerter Gleichrichter | ||
Durchschnittlicher Nennstrom im Ein-Zustand Irms 0.8A | ||
Thyristor-Typ SCR | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Wiederkehrende Spitzensperrspannung VDRM 600V | ||
Spitzenstrom 8A | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gate-Trigger-Strom max. Igt 200μA | ||
Pinanzahl 4 | ||
Gate-Trigger-Spannung max. Vgt 0.8V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximaler Haltestrom Ih 5mA | ||
Maximale Betriebstemperatur 110°C | ||
Serie MCR08B | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Spitzen Off-State Strom periodisch 200μA | ||
Automobilstandard Nein | ||
Spitzen-Durchlassspannung 1.7V | ||
Phasenanschnittsteuerungs-Thyristoren, ON Semiconductor
Thyristoren – ON Semiconductor
Ein Thyristor ist ein Halbleitergerät mit vier Schichten aus abwechselndem n- und p-Material. Er verhält sich wie ein bistabiler Schalter, ist leitend, wenn sein Gate einen Stromstoß empfängt, und leitet weiterhin, solange eine Vorspannung anliegt. Thyristoren sind gleichbedeutend mit gesteuerten Silizium-Gleichrichtern (Silicon-Controlled Rectifier; SCR).
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