Littelfuse SCR Silikon-gesteuerter Gleichrichter 12 A JEDEC TO-220AB 50 V, Gate-Trigger 30 mA 100 A 2.2 V
- RS Best.-Nr.:
- 862-4944
- Herst. Teile-Nr.:
- MCR68-2G
- Marke:
- Littelfuse
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | CHF.1.092 | CHF.10.92 |
| 50 - 90 | CHF.1.008 | CHF.10.07 |
| 100 - 240 | CHF.0.945 | CHF.9.45 |
| 250 - 490 | CHF.0.872 | CHF.8.68 |
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- RS Best.-Nr.:
- 862-4944
- Herst. Teile-Nr.:
- MCR68-2G
- Marke:
- Littelfuse
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Littelfuse | |
| Produkt Typ | Silikon-gesteuerter Gleichrichter | |
| Durchschnittlicher Nennstrom im Ein-Zustand Irms | 12A | |
| Thyristor-Typ | SCR | |
| Gehäusegröße | JEDEC TO-220AB | |
| Wiederkehrende Spitzensperrspannung VDRM | 50V | |
| Spitzenstrom | 100A | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Gate-Trigger-Strom max. Igt | 30mA | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Maximaler Haltestrom Ih | 50mA | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Trigger-Spannung max. Vgt | 1.5V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Serie | MCR68-2 | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Spitzen-Durchlassspannung | 2.2V | |
| Spitzen Off-State Strom periodisch | 2mA | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Littelfuse | ||
Produkt Typ Silikon-gesteuerter Gleichrichter | ||
Durchschnittlicher Nennstrom im Ein-Zustand Irms 12A | ||
Thyristor-Typ SCR | ||
Gehäusegröße JEDEC TO-220AB | ||
Wiederkehrende Spitzensperrspannung VDRM 50V | ||
Spitzenstrom 100A | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Gate-Trigger-Strom max. Igt 30mA | ||
Pinanzahl 3 | ||
Maximaler Haltestrom Ih 50mA | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Trigger-Spannung max. Vgt 1.5V | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Serie MCR68-2 | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Spitzen-Durchlassspannung 2.2V | ||
Spitzen Off-State Strom periodisch 2mA | ||
Phasenanschnittsteuerungs-Thyristoren, ON Semiconductor
Thyristoren – ON Semiconductor
Ein Thyristor ist ein Halbleitergerät mit vier Schichten aus abwechselndem n- und p-Material. Er verhält sich wie ein bistabiler Schalter, ist leitend, wenn sein Gate einen Stromstoß empfängt, und leitet weiterhin, solange eine Vorspannung anliegt. Thyristoren sind gleichbedeutend mit gesteuerten Silizium-Gleichrichtern (Silicon-Controlled Rectifier; SCR).
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