onsemi MJB45H11G SMD, PNP Digitaler Transistor –80 V, D2PAK (TO-263) 2 + Tab-Pin

RS Best.-Nr.:: 186-7405
Herst. Teile-Nr.:: MJB45H11G
Marke:: onsemi

onsemi MJB45H11G SMD, PNP Digitaler Transistor –80 V, D2PAK (TO-263) 2 + Tab-Pin

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Mehr Infos und technische Dokumente

Datasheet MJB45H11G

Rechtliche Anforderungen

Ursprungsland:: MY

Produktdetails

Der bipolare PNP-Leistungstransistor ist für die allgemeine Leistungsverstärkung und das Schalten wie Ausgangs- oder Treiberstufen in Anwendungen wie Schaltreglern, Wandlern und Leistungsverstärkern ausgelegt. Die MJB44H11 (NPN) und MJB45H11 (PNP) sind ergänzende Geräte.

Niedrige Sättigungsspannung des Kollektor-Emitter -
VCE(sat) = 1,0 V (max.) @ 8,0 A
Hohe Schaltgeschwindigkeiten
Komplementäre Paare Vereinfachen Designs
NJV-Präfix für Automobil- und andere Anwendungen, die besondere Anforderungen an Standort- und Kontrolländerungen erfordern, PPAP-fähig
PbFree Pakete sind verfügbar

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Transistor-Typ	PNP
Kollektor-Emitter-Spannung	–80 V
Gehäusegröße	D2PAK (TO-263)
Montage-Typ	SMD
Verlustleistung max.	50 W
Gleichstromverstärkung min.	60
Transistor-Konfiguration	Einfach
Basis-Emitter Spannung max.	5 V dc
Pinanzahl	2 + Tab
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Abmessungen	10.29 x 9.65 x 4.83mm

RS Best.-Nr.:: 186-7405
Herst. Teile-Nr.:: MJB45H11G
Marke:: onsemi

Datasheet MJB45H11G