- RS Best.-Nr.:
- 186-7407
- Herst. Teile-Nr.:
- MJD117-1G
- Marke:
- onsemi
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 186-7407
- Herst. Teile-Nr.:
- MJD117-1G
- Marke:
- onsemi
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- MY
Produktdetails
Der Darlington Bipolar-Leistungstransistor wurde für allgemeine Leistungs- und Schaltvorgänge wie Ausgangs- oder Treiberstufen in Anwendungen wie Schaltreglern, Wandlern und Leistungsverstärkern entwickelt. Die Modelle MJD112 (NPN) und MJD117 (PNP) sind ergänzende Geräte.
Kabel für Oberflächenmontage in Kunststoffhülsen (kein Suffix)
Ausführung mit geraden Ableitungen in Kunststoffhülsen ("1" Suffix)
Lead Formed Version in 16-mm-Band und Rolle (T4-Suffix)
Aufputz-Montage-Ersatz für Serie TIP110-TIP117
Monolithische Konstruktion mit integrierten Shunt-Widerständen am unteren Emitter
Hohe DC-Stromverstärkung hFE = 2500 (Typ) bei IC = 2,0 Adc
Komplementäre Paare Vereinfachen Designs
NJV-Präfix für Automobil- und andere Anwendungen, die besondere Anforderungen an Standort- und Kontrolländerungen erfordern, PPAP-fähig
PbFree Pakete sind verfügbar
Ausführung mit geraden Ableitungen in Kunststoffhülsen ("1" Suffix)
Lead Formed Version in 16-mm-Band und Rolle (T4-Suffix)
Aufputz-Montage-Ersatz für Serie TIP110-TIP117
Monolithische Konstruktion mit integrierten Shunt-Widerständen am unteren Emitter
Hohe DC-Stromverstärkung hFE = 2500 (Typ) bei IC = 2,0 Adc
Komplementäre Paare Vereinfachen Designs
NJV-Präfix für Automobil- und andere Anwendungen, die besondere Anforderungen an Standort- und Kontrolländerungen erfordern, PPAP-fähig
PbFree Pakete sind verfügbar
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Transistor-Typ | PNP |
Kollektor-Emitter-Spannung | –100 V |
Gehäusegröße | DPAK (TO-252) |
Montage-Typ | SMD |
Verlustleistung max. | 20 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Basis-Emitter Spannung max. | 5 V dc |
Pinanzahl | 3 + Tab |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Abmessungen | 6.73 x 6.22 x 2.25mm |