onsemi BDX33BG THT, NPN Digitaler Transistor 80 V dc, TO-220 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 186-7894
- Herst. Teile-Nr.:
- BDX33BG
- Marke:
- onsemi
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CHF.9.209
| Packung(en) | Pro Packung | Pro Stück* |
| 1 - 9 | CHF.9.209 | CHF.0.924 |
| 10 - 24 | CHF.6.92 | CHF.0.693 |
| 25 - 49 | CHF.6.825 | CHF.0.683 |
| 50 - 99 | CHF.5.849 | CHF.0.588 |
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- 186-7894
- Herst. Teile-Nr.:
- BDX33BG
- Marke:
- onsemi
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
Der Bipolartransistor mit 10 A, 100 V PNP Darlington, ist für allgemeine und langsame Schaltanwendungen konzipiert. Die BDX33B, BDX33C, BDX34B und BDX34C sind ergänzende Geräte.
Hohe DC-Stromverstärkung - hFE = 2500 (typ.) bei IC = 4,0
Collector-Emitter-Haltespannung bei 100 mADC VCEO(sus) = 80 Vdc (min.) BDX33B, 34B VCEO(sus) = 100 Vdc (min.) - BDX33C, 34C
Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung CE(sat) = 2,5 Vdc (max.) bei IC = 3,0 Adc BDX33B, 33C/34B, 34C
Monolithische Konstruktion mit integrierten Basis-Emitter-Shunt-Widerständen
Zu-220AB Kompaktgehäuse
Bleifreie Gehäuse sind verfügbar
Collector-Emitter-Haltespannung bei 100 mADC VCEO(sus) = 80 Vdc (min.) BDX33B, 34B VCEO(sus) = 100 Vdc (min.) - BDX33C, 34C
Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung CE(sat) = 2,5 Vdc (max.) bei IC = 3,0 Adc BDX33B, 33C/34B, 34C
Monolithische Konstruktion mit integrierten Basis-Emitter-Shunt-Widerständen
Zu-220AB Kompaktgehäuse
Bleifreie Gehäuse sind verfügbar
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Transistor-Typ | NPN |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 80 V dc |
| Gehäusegröße | TO-220 |
| Montage-Typ | THT |
| Verlustleistung max. | 70 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Basis-Emitter Spannung max. | 5 V dc |
| Pinanzahl | 3 |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Abmessungen | 10.53 x 4.83 x 9.28mm |