NPN Transistor und Digital-Transistor MJF3055G 90 Vdc (Ausfall 10 A, TO-220 3-Pin, Single Einfach

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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Ursprungsland: KR
Produktdetails

Der Bipolar-Leistungstransistor wurde speziell für allgemeine Verstärker- und Schaltanwendungen entwickelt.

Isoliertes Overmold-Gehäuse (1500 Volt RMS Min)
Elektrisch ähnlich wie beim beliebten MjE3055T und MjE2955T.
Collector-Emitter Sustaining Voltage VCEO(sus) 90 Volt
10 Ampere Nennstrom des Kollektors
Keine Trennscheiben erforderlich
Geringere Systemkosten

Bleifreie Gehäuse sind verfügbar

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Transistor-Typ NPN
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Dauer-Kollektorstrom max. 10 A
Kollektor-Emitter- 90 Vdc (Ausfall
Montage-Typ Durchsteckmontage
Gehäusegröße TO-220
Pinanzahl 3
Gleichstromverstärkung min. 5
Verlustleistung max. 30 W
Transistor-Konfiguration Einfach
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. 2,5 V dc
Basis-Emitter Spannung max. 5 V dc
Konfiguration Single
Betriebstemperatur max. +150 °C
Höhe 9.28mm
Länge 10.53mm
Abmessungen 10.53 x 4.83 x 9.28mm
Breite 4.83mm
Betriebstemperatur min. –55 °C
24 lieferbar innerhalb von 5 Werktagen.
Preis pro: 1 Packung mit 10 Stück
CHF .15.587
(ohne MwSt.)
Packung(en)
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1 - 1
CHF.15.587
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