onsemi MJF3055G THT, NPN Digitaler Transistor 90 Vdc (Ausfall, TO-220 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 186-8013
- Herst. Teile-Nr.:
- MJF3055G
- Marke:
- onsemi
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CHF.14.616
| Packung(en) | Pro Packung | Pro Stück* |
| 1 - 9 | CHF.14.616 | CHF.1.46 |
| 10 - 24 | CHF.11.351 | CHF.1.134 |
| 25 - 49 | CHF.11.036 | CHF.1.103 |
| 50 - 99 | CHF.9.828 | CHF.0.987 |
| 100 + | CHF.9.587 | CHF.0.956 |
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- RS Best.-Nr.:
- 186-8013
- Herst. Teile-Nr.:
- MJF3055G
- Marke:
- onsemi
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- KR
Produktdetails
Der Bipolar-Leistungstransistor wurde speziell für allgemeine Verstärker- und Schaltanwendungen entwickelt.
Isoliertes Overmold-Gehäuse (1500 Volt RMS Min)
Elektrisch ähnlich wie beim beliebten MjE3055T und MjE2955T.
Collector-Emitter Sustaining Voltage VCEO(sus) 90 Volt
10 Ampere Nennstrom des Kollektors
Keine Trennscheiben erforderlich
Geringere Systemkosten
Bleifreie Gehäuse sind verfügbar
Elektrisch ähnlich wie beim beliebten MjE3055T und MjE2955T.
Collector-Emitter Sustaining Voltage VCEO(sus) 90 Volt
10 Ampere Nennstrom des Kollektors
Keine Trennscheiben erforderlich
Geringere Systemkosten
Bleifreie Gehäuse sind verfügbar
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Transistor-Typ | NPN |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 90 Vdc (Ausfall |
| Gehäusegröße | TO-220 |
| Montage-Typ | THT |
| Verlustleistung max. | 30 W |
| Gleichstromverstärkung min. | 20 |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Basis-Emitter Spannung max. | 5 V dc |
| Pinanzahl | 3 |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Abmessungen | 10.53 x 4.83 x 9.28mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |