onsemi MJH11019G THT, PNP Digitaler Transistor -200 V, SOT-93 3-Pin

RS Best.-Nr.:: 186-8066
Herst. Teile-Nr.:: MJH11019G
Marke:: onsemi

onsemi MJH11019G THT, PNP Digitaler Transistor -200 V, SOT-93 3-Pin

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Datasheet MJH11019G

Rechtliche Anforderungen

Ursprungsland:: CN

Produktdetails

Der Darlington Bipolar-Leistungstransistor ist für den Einsatz als Universalverstärker, Niederspannungs-Schalttechnik und Motorsteuerungsanwendungen konzipiert. Die Modelle MJH11017, MJH11019, MJH11021 (PNP), MJH11018, MJH11020, MJH11022 (NPN) sind ergänzende Geräte.

Hohe DC-Stromverstärkung bei 10 Adc - hFE = 400 Min. (Alle Typen)
Collector-Emitter Sustaining Voltage VCEO(sus) = 150 Vdc (min.) MJH11018, 17 VCEO(sus) = 200 Vdc (min.) - MJH11020, 19 VCEO(sus) = 250 Vdc (min.) - MJH11022, 21
Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VCE(sat) = 1,2 V (Typ) @ IC = 5,0 A VCE(sat) = 1,8 V (Typ) @ IC = 10 A.
Monolithische Konstruktion
Bleifreie Gehäuse sind verfügbar

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Transistor-Typ	PNP
Kollektor-Emitter-Spannung	-200 V
Gehäusegröße	SOT-93
Montage-Typ	THT
Verlustleistung max.	150 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Basis-Emitter Spannung max.	5 V dc
Pinanzahl	3
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Abmessungen	15.2 x 4.9 x 20.35mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C

RS Best.-Nr.:: 186-8066
Herst. Teile-Nr.:: MJH11019G
Marke:: onsemi

Datasheet MJH11019G