onsemi BD810G THT, PNP Digitaler Transistor 80 V dc, TO-220 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 186-8079
- Herst. Teile-Nr.:
- BD810G
- Marke:
- onsemi
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 186-8079
- Herst. Teile-Nr.:
- BD810G
- Marke:
- onsemi
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
Der bipolare Hochleistungstransistor NPN wurde für den Einsatz in Hochleistungsverstärkern mit komplementären oder quasi komplementären Schaltkreisen entwickelt.
DC-Stromverstärkung - hFE = 30 (min.) bei IC = 2,0 Adc
Bleifreie Gehäuse sind verfügbar
Bleifreie Gehäuse sind verfügbar
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Transistor-Typ | PNP |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 80 V dc |
| Gehäusegröße | TO-220 |
| Montage-Typ | THT |
| Verlustleistung max. | 90 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Basis-Emitter Spannung max. | 5 V dc |
| Pinanzahl | 3 |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Abmessungen | 10.53 x 4.83 x 9.28mm |