onsemi FDA59N30 THT Digitaler Transistor, TO-3P 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 186-8132
- Herst. Teile-Nr.:
- FDA59N30
- Marke:
- onsemi
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CHF.18.816
| Packung(en) | Pro Packung | Pro Stück* |
| 1 - 1 | CHF.18.816 | CHF.3.759 |
| 2 - 19 | CHF.16.086 | CHF.3.213 |
| 20 - 49 | CHF.12.915 | CHF.2.583 |
| 50 - 99 | CHF.12.212 | CHF.2.447 |
| 100 + | CHF.11.435 | CHF.2.289 |
| *Bitte VPE beachten | ||
- RS Best.-Nr.:
- 186-8132
- Herst. Teile-Nr.:
- FDA59N30
- Marke:
- onsemi
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
UniFETTM MOSFET ist eine Hochspannungs-MOSFET-Familie, die auf planarer Streifen- und DMOS-Technologie basiert. Dieser MOSFET ist auf die Reduzierung des Einschaltwiderstandes und die Verbesserung der Schaltleistung und der Lawinenenergie ausgelegt. Diese Gerätefamilie eignet sich zum Schalten von Stromwandleranwendungen wie Leistungsfaktorkorrektur (PFC), Flachbildschirm (FPD) TV-Leistung, ATX und elektronische Lampenvorschaltgeräte.
RDS(on) = 56 mΩ ( Max.) @ VGS = 10 V, ID = 29,5 A
Niedrige Gatterladung ( Typ. 77 nC)
Niedrige Crss (Typ. 80 pF)
Anwendungen
Dieses Produkt ist für die allgemeine Verwendung und für viele verschiedene Anwendungen geeignet.
Niedrige Gatterladung ( Typ. 77 nC)
Niedrige Crss (Typ. 80 pF)
Anwendungen
Dieses Produkt ist für die allgemeine Verwendung und für viele verschiedene Anwendungen geeignet.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Gehäusegröße | TO-3P |
| Montage-Typ | THT |
| Verlustleistung max. | 500 W |
| Pinanzahl | 3 |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Abmessungen | 16.2 x 5 x 18.9mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |