10kΩ NPN Digitaler Transistor FJN3305RTA 50 V 100 mA Eingangswiderstand 4,7 kΩ, Verhältnis 0,47 k Ω, TO-92

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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Produktdetails

Transistoren mit integrierten Widerständen können durch die Reduzierung der Bauteilanzahl und die Vereinfachung des Schaltungsdesigns hervorragende Platz- und Kostensparende Lösungen darstellen.

100 mA Ausgangsstromstärke
Integrierter Bias-Widerstand (R1=4,7kΩ, R2=10KΩ)
Anwendungen
Dieses Produkt ist für die allgemeine Verwendung und für viele verschiedene Anwendungen geeignet.

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Transistor-Typ NPN
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Dauer-Kollektorstrom max. 100 mA
Kollektor-Emitter- 50 V
Eingangswiderstand typ. 4,7 kΩ
Montage-Typ Durchsteckmontage
Basis-Emitter-Widerstand 10kΩ
Gehäusegröße TO-92
Pinanzahl 3
Gleichstromverstärkung min. 30
Verlustleistung max. 300 mW
Transistor-Konfiguration Einfach
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. 0,3 V
Basis-Emitter Spannung max. 10 V
Widerstandsverhältnis 0,47 k Ω
Konfiguration Single
Länge 5.2mm
Höhe 5.33mm
Breite 4.19mm
Abmessungen 5.2 x 4.19 x 5.33mm
Betriebstemperatur max. +150 °C
Nicht mehr im Sortiment