- RS Best.-Nr.:
- 186-9000
- Herst. Teile-Nr.:
- UMZ1NT1G
- Marke:
- onsemi
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Produktdetails
Der zweifache NPN PNP Bipolartransistor wurde für allgemeine Verstärkeranwendungen entwickelt. Er ist im Gehäuse SOT-363/SC-88 untergebracht, das für oberflächenmontierbare Anwendungen mit geringer Leistungsaufnahme ausgelegt ist.
Bleifreies Gehäuse erhältlich
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Transistor-Typ | NPN/PNP |
DC Kollektorstrom max. | 200 mA |
Kollektor-Emitter-Spannung | 50 V |
Gehäusegröße | SOT-363 (SC-88) |
Montage-Typ | SMD |
Verlustleistung max. | 385 mW |
Gleichstromverstärkung min. | 200 |
Transistor-Konfiguration | Dual |
Basis-Emitter Spannung max. | 7 V dc |
Pinanzahl | 6 |
Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Abmessungen | 2.2 x 1.35 x 1mm |