WeEn Semiconductors Co., Ltd TRIAC 8 A TO-252 Oberfläche Gate Trigger 1.5 V 70 mA, 600 V 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 657-1823
- Herst. Teile-Nr.:
- BT137S-600,118
- Marke:
- WeEn Semiconductors Co., Ltd
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| 10 - 90 | CHF 0.667 | CHF 6.63 |
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| 250 - 490 | CHF 0.576 | CHF 5.76 |
| 500 - 990 | CHF 0.525 | CHF 5.23 |
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 657-1823
- Herst. Teile-Nr.:
- BT137S-600,118
- Marke:
- WeEn Semiconductors Co., Ltd
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | WeEn Semiconductors Co., Ltd | |
| Durchschnittlicher Nennstrom im Ein-Zustand Irms | 8A | |
| Produkt Typ | TRIAC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Gate-Trigger-Strom max. Igt | 70mA | |
| Wiederkehrende Spitzensperrspannung VDRM | 600V | |
| Spitzenstrom | 71A | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Trigger-Spannung max. Vgt | 1.5V | |
| Maximaler Haltestrom Ih | 20mA | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 2.38mm | |
| Länge | 6.73mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Spitzen Off-State Strom periodisch | 500μA | |
| Spitzen-Durchlassspannung | 1.65V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke WeEn Semiconductors Co., Ltd | ||
Durchschnittlicher Nennstrom im Ein-Zustand Irms 8A | ||
Produkt Typ TRIAC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Gate-Trigger-Strom max. Igt 70mA | ||
Wiederkehrende Spitzensperrspannung VDRM 600V | ||
Spitzenstrom 71A | ||
Pinanzahl 3 | ||
Konfiguration Einfach | ||
Gate-Trigger-Spannung max. Vgt 1.5V | ||
Maximaler Haltestrom Ih 20mA | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 2.38mm | ||
Länge 6.73mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Spitzen Off-State Strom periodisch 500μA | ||
Spitzen-Durchlassspannung 1.65V | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der zwischen Semiconductors planar passivierte Vierquadrant-Triac in einem SOT428 (DPAK) SMD-Kunststoffgehäuse, das für den Einsatz in bidirektionalen Schalt- und Phasensteuerungsanwendungen vorgesehen ist.
Hohe Sperrspannungsfestigkeit
Weniger empfindliches Gate für verbesserte Störfestigkeit
Planar passiviert für Spannungsfestigkeit und Zuverlässigkeit
SMD-Gehäuse
Auslösung in allen vier Quadranten
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