STMicroelectronics Zenerdiode Einfach 1 Element/Chip Oberfläche 3 V / 40 W max, SOD-882T 2-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 190-7623P
- Herst. Teile-Nr.:
- ESDAXLC6-1BT2Y
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- RS Best.-Nr.:
- 190-7623P
- Herst. Teile-Nr.:
- ESDAXLC6-1BT2Y
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | Zenerdiode | |
| Diodenkonfiguration | Einfach | |
| Zener-Spannung nomimal Vz | 3V | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 40W | |
| Gehäusegröße | SOD-882T | |
| Zenertyp | Bidirektional | |
| Pinanzahl | 2 | |
| Zener Lastwiderstand max. | 0.25Ω | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Sperrstrom max. | 50nA | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Serie | ESDA | |
| Höhe | 0.4mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 1.05mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ Zenerdiode | ||
Diodenkonfiguration Einfach | ||
Zener-Spannung nomimal Vz 3V | ||
Montageart Oberfläche | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Maximale Verlustleistung Pd 40W | ||
Gehäusegröße SOD-882T | ||
Zenertyp Bidirektional | ||
Pinanzahl 2 | ||
Zener Lastwiderstand max. 0.25Ω | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Sperrstrom max. 50nA | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Serie ESDA | ||
Höhe 0.4mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 1.05mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Die ESDAXLC6-1BT2Y ist eine bidirektionale einzeilige TVS-Diode zum Schutz von Datenleitungen oder anderen E/A-Anschlüssen vor ESD-Transienten. Dieses Gerät ist ideal für Anwendungen, bei denen sowohl eine reduzierte Leitungskapazität als auch eine Leistungsabsorptionsfähigkeit erforderlich sind.
Einzeitiger bidirektionaler Schutz
Durchschlagsspannung = min. 6 V
, besonders niedrige Diodenkapazität = 0,4 pF
Bleifreies Gehäuse
Vorteile
Niedrige Kapazität für optimierte Datenintegrität
Niedriger Leckstrom< 50 nA
Geringer Leiterplattenplatzverbrauch: 0,6 mm3